如何应对负电压浪涌？不会就进来学！

[导读]今天，小编将在这篇文章中为大家带来负电压浪涌的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

今天，小编将在这篇文章中为大家带来负电压浪涌的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

一、负电压浪涌

负电压浪涌‌是指在电路中由于某些操作引起的电压瞬间下降到低于正常工作电压的现象。这种现象通常发生在电路中的电感元件被突然切断或电容元件突然充电时，导致电势发生瞬间的变化。

1、产生机制

‌电感元件的突然切断‌：当电路中的电感元件被突然切断时，其内部的磁场能量迅速释放，导致电势瞬间变化，从而产生负电压浪涌‌。

‌电容元件的突然充电‌：当电路中的电容元件突然充电时，电容内部的电荷迅速积累，也会导致电势瞬间变化，从而产生负电压浪涌‌。

2、对电路的影响

负电压浪涌会对电路产生以下危害：

‌烧毁电路元件‌：负电压浪涌的高电压和低电压会对电路元件产生巨大的冲击，可能导致电路元件烧毁‌。

‌干扰电子设备‌：负电压浪涌会产生大量的电磁波干扰，对周围的电子设备产生影响‌。

‌降低电路可靠性‌：负电压浪涌会降低电路的可靠性，增加电路的故障率‌。

3、防止措施

为了减少负电压浪涌对电路的危害，可以采取以下措施：

‌加装浪涌电压抑制器‌：安装浪涌电压抑制器可以有效地消除负电压浪涌的危害，保护电路元件不受影响‌。

‌合理设计电路‌：合理设计电路可以减少负电压浪涌的产生，降低电路故障率‌。

二、负电压浪涌的对策及其效果

下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。

下面的电路是上一篇中用来验证正浪涌对策的抑制电路。使用“（a）无抑制电路、（b）仅有米勒钳位用的MOSFET（Q2）、（c）仅有钳位用的肖特基势垒二极管、（d）仅有误导通抑制电容器C1”这四种电路，通过“双脉冲测试”确认了VGS的浪涌电压。

下面是双脉冲测试中关断时的波形、从上到下依次显示了开关侧栅极－源极电压（VGS_HS）、非开关侧栅极－源极电压（VGS_LS）、漏极－源极电压（VDS）和漏极电流（ID）。图中一并列出了前述的抑制电路（a）、（b）、（c）、以及同时具备抑制电路（b）和（c）的电路（e）的波形。

从这个波形图中可以看出，除了没有对策电路的（a）外，其他任何一个抑制电路都可以消除负浪涌。

接下来，请看仅连接了误导通抑制电容器C1的验证电路（d）在双脉冲测试中的关断波形。电路图与上面给出的电路图一样。波形（a）是没有C1的比较用波形，波形（b）、（c）和（d）是有C1、C1分别为2.2nF、3.3nF和4.7nF时的波形。与不加C1的（a）相比，加了C1的波形（b）、（c）、（d）中，VGS_LS的负浪涌略有降低，但效果并不明显。因此，作为对策，需要从抑制电路（b）和（c）中作出选择，但由于（c）不能抑制正浪涌，所以最终选择（b）。如果米勒钳位控制困难且无法选择抑制电路（b），则需要通过结合使用（c）和（d）来测试和优化整个系的效率。