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[导读]电压放大与电流放大制作电压放大级,通常可用共发射极或共基极以及源接地或栅接地的有电压增益的电路。这些电路仅进行电压放大,因电路的电流小,故没有发热的问题。在制作电流放大级时,要对电压放大级放大后的电平

电压放大与电流放大

制作电压放大级,通常可用共发射极或共基极以及源接地或栅接地的有电压增益的电路。这些电路仅进行电压放大,因电路的电流小,故没有发热的问题。

在制作电流放大级时,要对电压放大级放大后的电平信号进行处理。因此,电源电压与电压放大级一样,且由于进行电流放大需流过大电流,所以晶体管变得很热。

通常,在电流放大级使用射极跟随器和源极输出电路,但在器件发热很严重的情况下,电路空载电流的温度稳定度就成为问题。首先解决这个问题是最为重要的。

简单的推挽电路

在射极跟随器的偏置方法。其中为无信号时,Tr1与Trz截止、空载电流没有流动的情况,此种情况完全不必考虑温度稳定性问题。

但是,如上述第3章实验所示,该电路的开关失真大,因此在本书设计的声频功率放大电路中没有被使用。在声频以外的用途中(例如驱动电机和各种传动装置),不考虑温度稳定度也行,所以它是很有“作为”的电路。

对开关失真进行修正

对晶体管的基极一发射极间电压VBE用二极管EEEHA1H1R0R的正向压降VF进行抵消、进而来消除开关失真的电路。

晶体管VBE的值具有温度越高就越小的负温度系数(-2.5mV/℃)。因此,由这样昀电路取出大量负载电流时,Tr1与Tr2的温度就升高(由集电极损耗引起的发热),VBE的值就变小。

然而,即使Tr1和Tr2的温度变高,二极管D1和D2上流动的电流变化也不大,所以,其正向压降VF也几乎是一定值。就是说,VF≈VBE的关系被破坏,而成为VF>VBE。

这样一来,在Tr1和Tr2中,与VF和VBE之差相对应的基极电流流动,为基极电流矗FE倍的集电极电流作为空载电流而流动,并且,这个集电极电流不是在负载上流动,而是通过Tr1与Tr2在电源一电源(GND)之间流动。

这样,进一步增加了集电极电流。由此,晶体管的温度变得更高,VF和VBE的电压差变大,集电极电流变得更大。

这种情况反复地进行着,最后,流过非常大的集电极电流,导致Tr1和Tr2发生热损坏。这就是晶体管的热击穿原理。

电路,当大电流流过时,有热击穿的担心,但在负载电流小的情况下,这又是很常用的电路。

防止热击穿

电路中接入发射极电阻来吸收VF与VBE的电压差,从而限制发射极电流的电路。空载时的集电极电流被限制在(VF-VBE)/R。

该电路更加安全。但想减少空载时的集电极电流,则必须增大R的值。

例如,VF与VBE的电压差为lOOmV时(D1,D2写Tr1,Tr2的温度差为40℃,约产生lOOmV的电压差),为了将空载时的集电极电流控制在lOmA,则必须设定R=lOΩ。

这样一来,即使射极跟随器的输出阻抗为0,该电路的输出阻抗也为ZO一10Ω。

因该发射极电阻引发的损失,在大电流输出的电路中就不能驱动如扬声器那样的低阻抗负载(扬声器的阻抗为6~8Ω)。

还有一点,该电路因温度产生的电压差仅由电阻吸收,所以没有根本地解决空载电流随温度变动的问题。

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