长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存

来自集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）的消息称，预计长江存储到年底扩张达至少60K/m的投片量，与其他竞争者动辄200K/m以上的产能并不算大，但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击，进而导致跌价趋势持续。

在技术方面，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展，32层堆栈的只是小量生产，64层堆栈是今明两年生产的主力，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。

在这个问题上，去年长江存储推出了Xtacking结构的3D NAND闪存技术，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

性能上，长江存储表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

日前在GSA Memory+会议上，长江存储联席CTO汤强发表了《三维闪存技术发展的展望》演讲，表示长江存储今年8月份将会推出Xtacking 2.0闪存技术，Xtacking依然会不断进化中。