USB3.0中五分频电路设计
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摘要:基于65nm CMOS工艺,分别采用CML电路和TSPC电路设计并实现一种新型五分频电路,适用于USB 3.0物理层中时钟频率的五分频转换,且输出占空比基本满足50%,仿真结果表明采用CML电路构建的分频器可稳定工作在8 GHz的输入时钟频率,此时功耗为1.9 mW,采用TSPC电路构建的分频器可稳定工作在10 GHz输入时钟频率,此时功耗为0.2 mW,2种分频电路都满足USB 3.0规范要求,完全达到预期目标。
关键词:分频器;触发器;电流模式逻辑;单相位时钟逻辑
0 引言
USB 3.0是通用串行总线(Universal Serial Bus)的最新规范,该规范由英特尔等大公司发起,其最高传输速度可达5 Gb/s,并且兼容USB 2.0及以下接口标准。物理层的并串/串并转换电路是USB 3.0的重要组成部分,在发送端将经过8 b/10 b编码的10位并行数据转换成串行数据并传输到驱动电路,在接收端将经过CDR(Clock and Data Recovery)恢复出来的串行数据转换成10位并行数据。在并串/串并转换过程中,同时存在着时钟频率的转换,若串行数据采用时钟上下沿双沿输出,则串行数据传输频率降低一半,并行传输时钟为串行传输时钟的1/5,即五分频。
本文设计了基于65 nm工艺的五分频器,产生一个占空比为50%的五分频信号。对该电路的设计不以追求高速度为惟一目标,而是在满足USB 3.0协议所要求的频率范围基础上,尽可能的降低功耗。
1 电路原理与结构
采用基于D触发器结构的五分频器逻辑框图如图1所示。图1由3个D触发器和少量逻辑门构成,采用了同步工作模式,其原理是由吞脉冲计数原理产生2个占空比不同的五分频信号A和B,然后对时钟信号CLK,A和B进行逻辑运算得到占空比为50%的五分频信号CLK/5,其计数过程如表1所示,从表1的计数过程可知,分频后的时钟CLK/5的周期是输入时钟CLK的5倍,由此实现了五分频并且其占空比为50%。
2 分频器基本电路的设计
触发器是整个分频器中最基本的结构,只有设计好一个快速的触发器,才能实现一个高频率的分频器,目前用于分频电路的触发器电路主要有3种。第1种是CML(Current Mode logic)电路,是由ECL(EmitterCouple Logic)电路演变来的,相比传统的静态分频器,由于电路的摆幅较小,因而电路的工作速度快;第2种是TSPC(True Single Phase Clock)电路,采用单相时钟,大大减少了电路的元件数目,从而提高电路工作速度,同时这种电路功耗极低;第3种是注锁式(Injected Locked)电路,由于要使用电感,因而它的体积过大且工艺难度高,成本较高,很少被广泛采用。本文分别采用CML电路和TSPC电路构成分频电路,并对两者的速度和功耗等进行比较。
CML电路构成的触发器如图2所示,由图中可以看出,该触发器由2个CML结构锁存器组成,它们构成主从型结构,每个锁存器都要经过2个阶段:跟踪阶段和保持阶段。当主锁存器跟踪输入信号时,从锁存器处于锁存保持阶段,然后交替。其中N13,N14为尾电流管,偏置电压V_ biss使N13,N14管工作在饱和状态,充当恒流源的作用。dp和dn是由输入信号d经传输门和反相器产生的一对互补差分信号,cK_m和ck_p是由输入时钟信号clk经传输门和反相器产生的一对互补时钟差分信号。主锁存器工作状态为:当cK_m为高电平时,N5管导通,N6管关闭,此时N1,N2管工作在差分状态,将输入信号dp,dn采入。当cK_p为高电平时,N6管导通,N5管关闭,此时N3,N4使电路维持在锁存状态,从锁存器工作状态恰好与主锁存器工作状态相反。设计中在触发器输出端q,qn之间加了2个反相器从而在q,qn之间形成正反馈,增强了电路的输出驱动能力。工作时,电路的尾电流应当足够大,有利于提高电路工作频率和输出信号的摆幅。
TSPC电路构成的触发器如图3所示,由图中可以看出,该电路由四级反相器构成,上升沿触发,当CK为低电平,输入反相器在节点X上采样反向d输入,第2级反相器处于保持状态,节点Y预充电至Vdd,第三级反相器处于保持状态,时钟上升沿来时,第二级反相器求值,Y的电平值发生变化,时钟ck为高电平时,节点Y的值传送到输出q,该触发器的延时为4个反相器的传播延时,由于电路中元件数目很少,而且采用动态逻辑,因此功耗极低。
3 仿真结果与分析
采用Cadence公司的spectre仿真器对设计的分频器分别仿真,仿真电源电压为1 V,结果表明:在典型工艺参数条件下,基于CML电路结构的五分频器最大工作频率是8 GHz,最小工作频率是1 kHz,当工作在8 GHz时,功耗为1.7 mW,输出信号占空比为49.76%;基于TSPC电路结构的五分频器最大工作频率是10 GHz,最小工作频率是10 MHz,当工作在10GHz时,功耗采用10 ns内的平均功耗,功耗为0.2mW,输出信号占空比为49.92%。由于是单端输入输出,基于TSPC电路结构的分频器抗噪声能力较弱。最高工作频率下的仿真结果如图4,图5所示。
对于不同频率的分频器。通常采用FOM值来比较其性能,分频器的FOM值定义为:
FOM=fmax/P
式中:fmax是分频器的最高工作频率;P是分频器在最高工作频率下的功耗,表2为本文设计的分频器和其他文献中介绍的分频器作对比,所有的分频器均采用CMOS工艺,对比表明本文设计的5分频器性能较优,在65 nm工艺下具有明显的功耗低优势,尤其是采用TSPC电路结构的分频器,功耗极低。
4 结语
本文基于65 nm工艺分别采用CML电路结构和TSPC电路结构设计了1个五分频器,采用spectre仿真表明,采用CML结构的分频器最高工作频率8 GHz,功耗1.7 mW,输出信号占空比49.76%;采用TSPC电路结构分频器最高工作频率10 GHz,功耗为0.2 mW,输出信号占空比49.91%,由于采用单端输入输出,所以采用TSPC结构的分频器抗噪声能力较弱。输出信号占空比为50%是本文一大特点,2种结构的分频器工作频率完全覆盖了USB 3.0协议所要求的频率范围,满足协议要求。