CMOS反相器
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所谓CMOS (Complementary MOS),是在集成电路设计中,同时采用两种MOS器件:NMOS和PMOS,并通常配对出现的一种电路结构。CMOS电路及其技术已成为当今集成电路,尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。CMOS结构的主要优点是电路的静态功耗非常小,电路结构简单规则,使得它可以用于大规模集成电路、超大规模集成电路。
下图为CMOS结构的剖面示意图,为了能在同一硅材料(Wafer)上制作两种不同类型的MOS器件,必须构造两种不同类型的衬底,图中所示结构是在N型硅衬底上,专门制作一块P型区域(p阱)作为NMOS的衬底的方法。同样地,也可在P型硅衬底上专门制作一块N型区域(n阱),作为PMOS的衬底。为防止源/漏区与衬底出现正偏置,通常P型衬底应接电路中最低的电位,N型衬底应接电路中最高的电位。为保证电位接触的良好,在接触点采用重掺杂结构。
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