Infineon用锗化硅和碳双极工艺开发高频集成电路

计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布，在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe：C)的双极工艺，开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件，工作频率高出10%至30%。


Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术，设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件，其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infineno公司称，用该器件制作的电路经测试，其工作噪声极低，并以良好的晶体管平衡性，适用于数字或模拟两用电路。由上述技术制作出的集成电路的主要性能如下：这种最大输入频率110GHz以上的分频集成电路，其工作电压为5伏，工作电流为180微安，分频比为2。对于最大输入频率86GHz的静态分频集成电路，分频比为32、工作电压为5V、消耗电流为180mA。用上述器件可制作工作频率为95G至98GHz频段的调压式振荡器(VCO)。当载波截止频率为1MHz时，其相位噪音为97dBc/Hz。在5伏工作电压和消耗功率-6dBm的条件下，其消耗电流为12微安。

Infineno公司的锗化硅技术集成电路主要用于每秒10亿(1G)次的级的数据通信、宽带无线通信和微波通信等方面，特别适合制作进行高速数字或模拟变换的装置。Infineno公司称，利用上述技术，不远的将来还可制造高频晶体管和二极管等分立型器件。利用这些分立型器件，还可制作低功耗的40Gps级的有线通信系统、高速微波无线系统和最高可达60GHz的宽频带通信系统以及在77GHz频率下工作的车载雷达防撞系统等。

Infineno公司除了制作大家熟悉的DRAM外，还涉足车载电子系统、工业电子系统以及通信系统中使用的芯片。Infineno公司为原西门子公司的半导体子公司。



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