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[导读]2.BB l flash(MCP)同BB,以及其他总线设备的相对位置尽量按推荐的,保证BB到flash(MCP)的走线最顺畅; l 晶振必须放在离芯片最近的地方,但不要放在靠近板边的地方,包括13M(26M)、32.768K。 l 基带处理芯片及外部MEM

2.BB l flash(MCP)同BB,以及其他总线设备的相对位置尽量按推荐的,保证BB到flash(MCP)的走线最顺畅; l 晶振必须放在离芯片最近的地方,但不要放在靠近板边的地方,包括13M(26M)、32.768K。 l 基带处理芯片及外部MEMORY尽量靠近,并采用屏蔽盖屏蔽。屏蔽盖的焊接线的宽度视屏蔽盖厚度而定,但至少0.8mm,元器件距离屏蔽盖的焊接线距离至少0.3mm,同时要考虑器件的高度是否超出屏蔽盖。 3.电源(VBAT、LDO) l 电源VBAT和LDO输出线上的电容尽量靠近相应的管腿; l 芯片电源的滤波电容必须放在芯片PIN 旁边, 比如AVDDVBO 、AVDDVB、AVDDBB、AVDDAUX、AVDD36、VBAT、VDD、VDDIO、VMEM、DVDD3V、V28、VDDNF、VLCD等等。 4.EMI/ESD l BB 周围器件(特别是模拟部分)要严格按照参考设计 l FPC的EMI器件尽量靠近connector; l ESD器件要就近摆放 l 元器件与元器件外框边缘的距离大于0.25mm,一般最少为0.3mm,元器件距板边的距离至少0.3mm以上,结构定位器件除外 l 升压电路,音频电路、FPC远离天线,充电电路远离RF、Audio以及其它敏感电路。 l AUDIO部分滤波电路的输入输出级应该相互隔离,不能有耦合

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