SDRAM电路设计详解

介绍SDRAM电路设计之前先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列，可以把它想象成一个表格，和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，就可以准确找到所需要的存储单元，这是内存芯片寻址的基本原理，这个表格称为逻辑Bank。由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的Bank，而且由于SDRAM工作原理限制，单一的Bank会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率，所以在SDRAM内部分割成多个Bank，目前的SDRAM基本都是4个Bank。
SDRAM的地址引脚是复用的，在读写SDRAM存储单元时，操作过程是将读写地址分两次输入到芯片中，每一次由同一组地址线送入，两次送入到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址，它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器。下面是该芯片的部分信号说明：
nSRAS：SDRAM行地址选通信号
nSCAS：SDRAM列地址选通信号
nSCS：SDRAM芯片选择信号（选用Bank6作为sdram空间，也可以选择Bank7）
nWBE[3:0]：SDRAM数据屏蔽信号
SCLK0[1]：SDRAM时钟信号
SCKE：SDRAM时钟允许信号
LDATA[0:31]:32位数据信号
LADDR［2:14］：行列地址线
LADDR[25:24]：bank选择线