使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据
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做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储，一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH，这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6，只有64KB的FLASH，没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。
STM32CubeMX什么是STM32CubeMX？
STM32CubeMX是以HAL库为基础，进行上层的硬件和软件框架设计的图形化软件配置工具，使用图形化向导生成C初始化代码，可以根据设计生成硬件管脚定义及软件BSP工程包，支持IAR-ARM、MDK-ARM、Ac6等IDE开发环境。
下载地址点击这里。
这次项目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5开发。
FLASH读写流程首先简要写一下FLASH的读写流程
对FLASH写入数据
解锁FLASH
擦除FLASH
写入数据到FLASH
锁住FLASH
FLASH读取数据
直接读取相应的FLASH地址即可
这是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH库的流程，其他STM32库可能有所差异，但是肯定有解锁、擦除、写入、上锁这几个步骤的。
FLASH读写代码示例下面放上代码清单和测试流程
uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;
//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
//1、解锁FLASH
HAL_FLASH_Unlock();
//2、擦除FLASH
//初始化FLASH_EraseInitTypeDef
FLASH_EraseInitTypeDef f;
f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
f.PageAddress = addr;
f.NbPages = 1;
//设置PageError
uint32_t PageError = 0;
//调用擦除函数
HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);
//3、对FLASH烧写
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, addr, writeFlashData);
//4、锁住FLASH
HAL_FLASH_Lock();
}
//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);
printf("addr:0x%x, data:0x%xrn", addr, temp);
}
之后在主函数里添加下面测试流程：
void main(void)
{
//flash TEST
writeFlashData = 0x55555555;
writeFlashTest();
printFlashTest();
writeFlashData = 0xaaaaaaaa;
writeFlashTest();
printFlashTest();
while(1);
}
设置好串口，打印
addr:0x8007000, data:0x55555555
addr:0x8007000, data:0xaaaaaaaa
成功！
其中比较特殊的是擦除步骤，需要定义个FLASH_EraseInitTypeDef的数据，FLASH_EraseInitTypeDef有三个成员：TypeErase、PageAddress和NbPages。
其中，TypeErase有两个选项，页擦除和块擦除：
#define FLASH_TYPEERASE_PAGES ((uint32_t)0x00) /*! #define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01) /*! PageAddress是设置FLASH地址，这里为0x8007000； NbPages为擦除页数（块数），这里为1; 另外还需要定义一个uint32_t变量——PageError，如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址。 0x8007000是STM32的一个内存映射地址，其指向FLASH memory，如图： 这个地址也要考虑芯片的FLASH大小，比如我这次用的芯片FLASH大小是64KB，0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000，正好等于64KB。 在《STM32F05x参考手册》中，我选的0x8007000是这么一个位置，是FLASH地址的最后一块扇区的起始位置。 如果使用上面的示例代码读写FLASH不成功，也请考虑一下FLASH的大小和地址设置。
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