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[导读] 430单片机,一般具有内部的信息区,以便保存一些需要EEPROM才可保存的数据。在论坛没有收到相关信息,就借用网上的,抛砖引玉,如果有什么问题,多多指正,一起掌握!MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器

430单片机,一般具有内部的信息区,以便保存一些需要EEPROM才可保存的数据。

在论坛没有收到相关信息,就借用网上的,抛砖引玉,如果有什么问题,多多指正,一起掌握!

MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x1000到0x107F,SegmentA的地址是:0x1080到0x10FF。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFF开始,每512字节为一段进行分配。

FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。

运行代码

void flash_clr(int *ptr)

{

_DINT(); //关中断

FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁

FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除

*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段

}

FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。

// 字节写入

void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁

FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入

*((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据

}

// 字写入

void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */

}

FLASH存储器可以连续写入

// 按字节写入指定的数量的数据

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

while (len)

{

*ptr++ = *from++;

len--;

}

}

在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:

typedef struct Setup

{

float gain_ch0; // 0通道增益

float gain_ch1; // 1通道增益

float gain_ch2; // 2通道增益

char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA;

}SETUP;


我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。

使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:

运行代码

#define SegmentA 0x1080

float temp;

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)

{

temp = p_setup_flash->gain_ch0;

}

修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:

运行代码

SETUP *p_setup;

SETUP buf; // 临时变量

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH

memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM

p_setup = &buf; // 指向RAM

p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH


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