MSP430F5438A 内存Flash 读写操作
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1、msp430的存储结构采用冯.依曼结构,即RAM和Flash在同一个寻址空间内统一编址,没有代码空间和数据空间之分。
2、Flash是以段为为基本结构进行存储的。总体上分三部分:
Flash主存储区:用于存储程序代码,被分成4个扇区,每个扇区分128seg, 每个seg段 大小为64 * 1024 / 128 = 512B。 Flash控制器可以以位、字节、或者字的格式写入Flash控制器。但是控制器最小的擦除单位是段。
BSL存储区:是存储器的引导加载存储器,可以用于存储引导加载程序,分4段,每段512B,每段可以单独擦除、
信息存储区:主要用于存储需要掉电后永久保存的数据,分4段,每段128B。 每段可以单独擦写。
3、Flash内存模型
4、内存组织