深度解析：疫情之下 存储产业为何能逆势增长？

3月24日，湖北省新型冠状病毒感染肺炎疫情防控指挥部发布通告，宣布从3月25日零时起，武汉市以外地区解除离鄂通道管控。此举也意味着国内的疫情防控已经取得了阶段性的胜利。

不过，目前欧美疫情仍不容乐观，欧洲多国及美国的确诊病例仍在持续暴涨。以美国为例，仅昨天一天就新增了一万多例确诊病例。

相比之下，日本和韩国的疫情似乎已趋于平稳，目前每日新增病例都已经降至了100例以下。但需要警惕的是，韩国和日本是目前全球存储产业重镇，在当地疫情仍未结束之前，仍不可掉以轻心。

此前韩国的三星手机工厂和SK海力士工厂均出现了确诊病例。另外美国疫情的爆发，也对在美国本土的美光存储工厂造成不利影响。

此外，为应对疫情，意大利、马来西亚、新加坡、菲律宾、印度等全球多个国家和地区开始采取短期“封国”、“封城”等措施，而由此造成的交通阻断和工厂停工也在一定程度上影响全球存储芯片的供求情况。

值得注意的是，虽然近期智能手机和PC市场出现了大幅的下滑，但是存储芯片价格却出现了大幅的上涨。业内消息显示，自今年年初到现在，存储芯片价格最高已上涨了近60%。

那么，随着全球疫情的持续发展，对于存储芯片行业影响究竟有多大呢？未来存储芯片价格是继续上涨还是会下跌？

一、存储芯片产业的全球格局以及日韩厂商地位如何？

存储芯片产业 2019 年全球约 1200 亿美元销售额，对比全球 4000 亿美元的半导体市场，占比约 30%，地位显著。

其中 DRAM 全球销售额约 620 亿美元，NAND Flash 全球销售额约 570 亿美元，这两大主要市场是本文重点讨论的对象。

存储芯片行业周期约 3~4年，由于前期产能扩张和去库存因素，2019 年存储芯片价格下跌较多，带来销售额周期回落，由于 2019 年厂商已削减扩产计划，预计 2020 年全球存储芯片市场有望恢复增长。

DRAM 全球格局高度集中。根据TrendForce的数据显示，2019年四季度三星、SK 海力士、美光三家厂商占全球DRAM市场份额接近 95%。两家韩国厂商三星、SK 海力士合计占比约 72.7%。

NAND Flash 全球前六家厂商份额占 99%以上，其中包括韩国厂商三星、SK 海力士，以及日本厂商 KIOXIA（铠侠，原东芝存储，2019 年被美国贝恩资本为首的财团收购，总部和运营地在日本）。

根据TrendForce的数据显示，2019年四季度，这三家日韩厂商份额达到了63.8%。

日韩厂商在 DRAM、NAND Flash 两大类存储芯片产业乃至全球半导体产业中均占有重要的产业地位。这一地位具有一定历史发展因素。

日本、韩国在 20 世纪 80 年代、90年代分别集中政府、学界、商界力量研发和布局存储芯片产业，以十年计长期逆周期投资，成就当今地位。

我国目前在 DRAM 和 NAND Flash 两大产业中尚处于起步阶段，国内相关布局的厂商分别是合肥长鑫（DRAM，兆易创新合作开发）和长江存储（NAND Flash，紫光集团旗下）。

鉴于日韩两国在全球半导体产业链中的重要地位，疫情升级无疑牵动着全球半导体产业链的脉搏，在存储芯片领域这种关注尤甚。

二、主要存储芯片厂区及其产能分布情况以及现状如何？

韩国：共 12 条产线，主要位于京畿道地区，受疫情影响小韩国共有 12 条产线，分布在京畿道与忠清北道，总产能约 1200kwpm（千片/月，12吋晶圆，下同），本土总产能占比逾 8 成。

三星的 DRAM 产能全部集中在韩国本土的华城（Fab12、Fab13、Fab15、Fab16、 Fab17）、平泽（P1、P2）两地，NAND Flash 产能也有约 75%位于本土（Fab12、Fab16、Fab17、P1、P2），另有 25%的产能则位西安（西安一期、二期）。

SK 海力士有超过 60%的 DRAM 产能位于韩国本部，主要集中在利川市M10 厂，其余产能位于无锡（无锡一期、二期），而其 NAND Flash 产能则全部位于本土的清州（M11、M22、M15）、利川（M14、M16）两地，其中利川的 M14、M16（在建）厂为 NAND Flash 与 DRAM 混合厂。

根据以上产线 4Q19 月均投片量预估，三星与 SK 海力士在本土的 DRAM 与 NAND Flash 总产能水平分别约为 675kwpm 及 545kwpm，占总产能的比重达到 83%及 82%。

△资料来源：TrendForce、中信证券研究部

从本土厂区所属区域的疫情情况来看，三星的本土存储芯片厂区都位于京畿道，而SK 海力士本土存储芯片厂区则分布与京畿道与忠清北道，均没有位于疫情严重区域。

截至3月20日零时，京畿道和忠清北道这两个区域目前确诊病例数分别为309例和33例，疫情尚不算严重。目前两大厂商产线正常运转。

韩国的疫情始发于教会的聚集性感染，疫情最严重的地区为大邱和庆尚北道，目前已度过高峰期，形势逐步得到控制。韩国前期的新增人数确诊高峰阶段是 2 月底，相当于国内推后约 1 个月，目前已度过高峰期，新增确诊人数逐步下降。

韩国中央防疫对策本部24日通报，当地时间23日0时至24日0时，韩国新增76例新冠肺炎确诊病例，累计确诊9037例，死亡增至119例。

由于发生聚集性感染的新天地教会总部位于大邱市，当地成为韩国国内疫情最严重的地区，截至3月24日0时，大邱累计确诊人数达6442人，不过23日的新增已降至31例。

而存储厂商主要位于疫情不严重的京畿道和忠清北道，仍然正常运转。由于疫情已逐步得到控制，且存储芯片厂商尚未受到影响，预计后续对产能影响较小。

△图片来源：新浪疫情数据

日本：共 7 条产线，位于三重、岩手两县，受疫情影响小日本共有 7 条产线，位于三重、岩手两县，两地几乎未受疫情影响。

日企铠侠（原东芝存储）与其合作伙伴西部数据的 NAND Flash 产线集中在日本本土的三重县四日市（Fab2、Fab3、Fab4、Fab5、Fab6），另外，其即将投产的 K1 厂与 2020 年计划新建的Fab7 厂则位于本土的岩手县。铠侠本土厂区所位于的三重、岩手两县目前的确诊病例数分别为 9 例、0 例（截至3月19日），两地在日本本土不属于人口集中的地区，也几乎没有受到疫情影响，我们认为疫情影响产能的可能性较小。

△图片来源：新浪疫情数据

日本前期的新增确诊人数高峰发生在 2 月中旬左右，相当于国内的 1 月底-2 月上旬，延后约半个月，主要系停靠在横滨港的钻石公主号邮轮上持续发现新冠感染患者。

截至当地时间3月23日23时，日本新增39例新冠肺炎确诊病例，累计新冠肺炎确诊病例达到1140例，包括“钻石公主”号邮轮确诊的乘客及乘务人员确诊712例和包机归国的14例。各行政区域中，也只有北海道、爱知县、大阪府、东京都和兵库县确诊人数超过 100例。

△注：上图的日本各地疫情数据截止于3月15日，因此部分区域的颜色区分与最新的有差异。

中国：共 12 条产线，长江存储位于疫情严重的武汉地区

中国地区共有 12 条存储芯片产线，其中中国大陆 8 条，中国台湾 4 条，DRAM 产线7 条、NAND Flash 产线 5 条。

从国际厂商在中国的产线分布情况来看，三星与 SK 海力士的 DRAM 产能合计约 30%以上位于中国大陆，其中三星 NAND Flash 有约 25%的产能位于西安厂，SK 海力士则有约 40%的 DRAM产能位于无锡厂。英特尔的所有 NAND Flash产能都集中在大连厂。

大陆本土企业方面，合肥长鑫与长江存储的厂区分别位于合肥、武汉两地。此外，美光有超 6 成的 DRAM 产能位于中国台湾（台中、桃园）。目前包括长江存储在内的存储厂都在正常运转，预计疫情不会对各个厂商产线正常运转造成太大影响。

此外，中国地区也是全球主要厂商存储芯片封装的重要基地。除了铠侠/西数，所有主要厂商都在中国地区布局了封装基地，广泛分布在中国中部的上海、无锡、苏州、西安、成都、重庆等地区，没有位于湖北省的主要封测厂。

上述地市的疫情防控情况良好，存量确诊人数均不过百。封装测试厂相比于存储厂对员工需求更多，若员工到岗不足可能影响复工率，目前随着国内疫情控制稳定，企业正陆续积极复工，复工率逐步恢复。

截至3月23日0—;24时，国内累计报告确诊病例81171例（现有确诊病例4735例），新增确诊病例78例，其中74都是境外输入确诊病例。目前来看疫情得到了基本控制，更多需要注意境外输入病例。

另外，根据中国台湾地区流行疫情指挥中心23日公布的信息显示，岛内新增26例新冠肺炎确诊病例，其中25例为境外输入，1例本土案例，台湾地区累计确诊病例达195例。疫情影响相对较轻。

三、单看供给端，疫情影响大不大？

从行业特点出发，从短期来看，我们认为疫情对产能的直接影响有限。

首先，半导体制造的洁净控制级别高，人员病毒传播风险小，且产线自动化程度高，对人工的依赖不大。晶圆厂内对污染控制要求十分严格，以免影响芯片工艺良率。

普通空气经处理后才能进入洁净室，洁净室内部每 1 平方英尺所含超过 0.5μm 微粒总数一般在1 以下（城市空气中为 500 万），甚至要求空气中颗粒尺寸小于 0.1μm（飞沫核尺寸一般在 0.7~2.1μm），无尘室级别远高于医药、食品工业等。

另外，生产工序中员工穿着的工业级防静电无尘服并佩戴口罩，能够减少空气中的尘埃吸附，自带一定的防护效果，高规格的工业级防尘服可以起到一定程度医疗防护服的效果。加之晶圆厂采取必要措施管控，预计疫情对晶圆厂产能影响小。

对于封测厂商而言，封测厂商内也具有较好的洁净控制措施，标准略低于晶圆制造厂。封装测试厂相比于制造厂对员工需求更多，若员工到岗不足可能影响复工率，目前随着国内疫情控制稳定，企业正陆续积极复工，复工率逐步恢复。

其次，半导体制造的晶圆厂一般为 365 天 24 小时不停转，不存在停复工问题，且不会轻易停工。与钢铁、能源、化工等重资产基础产业类似，半导体晶圆厂产线停工对厂商来说代价过大。

2018 年 3 月，三星平泽 NAND 厂遭遇停电事故，虽然停电仅半小时，仍损坏了 5000~6000 片晶圆，约占其当月投片量的 11%，相当于该月全球供应量的 3.5%，估算的经济损失约 3 亿元人民币。

以长江存储为例，其厂区位于疫情核心区域武汉，早在1 月份，长江储存便向外界表示：停工停产不在其计划之内。

由于厂区距离市中心 30 公里，地理位置相对独立，且得益于高效的疫情应对手段，目前长江存储产线运转正常，材料运送也通过申请特殊通道得到了保障，尚未出现设备维护与材料的运输问题，乃至客户端受需求下滑影响而减缓产品认证速度等情况。

因此我们认为各大厂商产线停工可能性不大，晶圆厂仍会保持 365 天不停转，预计短期内生产不会受到太大影响。

中期角度来看，疫情将对长江存储的新产能建设造成一定延后。受建筑工人节前返乡的影响，目前长江存储一期厂区 B、C、D 标段等仍待建设收尾，但均无施工迹象，且无明确的复工时间表。中期来看长江存储的产能爬坡计划预计将出现一定延后。

原材料运输保障是关键，日韩政府政策措施后续仍需关注。

更进一步，考虑运输影响，随着海外疫情发展进入加速期，需关注日韩政府是否会效仿武汉采取封城措施，如封城是否会造成原材料、产成品运输困难，海关是否会拦截或增加检验时间，如果运输层面出现严重问题则可能直接造成产品短缺、短期价格上涨。

晶圆厂原材料库存水平通常保持在 2~3个月，因而短期原材料运输问题可以缓解，但长期断供将对整个产业链造成较大冲击。

例 如 2019 年 7 月份日韩爆发贸易战，日本作为全球最重要的半导体原材料及设备供应方限制向三星等韩企供应聚酰亚胺、光刻胶、蚀刻气体等核心原料，日本断供导致三星原料告急，含氟聚酰亚胺库存仅能维持 1 个月。

包括苹果、亚马逊、微软、谷歌在内的众多终端厂商紧急派出高层赴韩评估事态影响及确认后续供应计划。

在三星高层及韩国政府的多方斡旋下，日方恢复这些核心材料的短期供给。可见原材料供应对晶圆厂生产影响较大，并且会影响到下游产品供应。

截止目前，日本疫情数据增长有限，但是韩国疫情数据增长较快，如若两国政府后续所采取的更严厉防控措施影响到运输环节，可能将对存储芯片供货端造成一些冲击。

但参考中国大陆地区疫情期间各厂商的运营状况来看，即便是武汉区域的长江存储也申请采取了特别通行的政策保障企业生产，只要应对得当，预计影响是有限的。

综合来看我们不认为疫情会对短期存储芯片供给带来太大的影响。

从产能利用及扩张情况来看，供给端产能总量平稳，预计 2020 年 DRAM 和 NANDFlash 产能扩增幅度分别为 3%、9.1%。2018~2019 年存储价格下跌期间 DRAM 和 NAND Flash 厂商均推迟了扩产计划。

同时，由于 CIS（CMOS 图像传感器）受益于智能手机多摄需求景气，三星、SK 海力士还将部分较老制程的 DRAM 产线转换为 CIS 产线，造成DRAM 总体产能下降。

DRAM市场端，虽然目前存储芯片价格 2019 年 12 月开始已经重回上行周期，但出于维持价格上行的需要，主要 DRAM 厂商 2019 年 Q4 的投片量并没有明显扩张。

2020年，部分之前新增产线有望陆续投产，加之三星等厂商产线灵活度高，可从其他业务线调配产能，因而 DRAM 端的产能具有弹性，供给有保障，但厂商主动调升产能的幅度并不高。

根据 Trendforce 数据，预计 2020 年相较于 2019 年 DRAM 产能扩增幅度在 3%左右。NAND Flash 端，铠侠/西数与美光在 Q4 的投片量已经明显上扬以应对需求增加和价格反弹，而 2020 年长江存储的产能扩张计划受到疫情影响可能会延后 1~2 个季度左右。

根据 Trendforce 数据并调整了长江存储的产能扩张节奏后，我们预计 2020 年相较于 2019 年 NAND Flash 产能扩增幅度在 9.1%左右。

四、再看需求端，中日韩及全球需求可能如何变化？

以智能手机为主的终端厂商出货量减少短期内势必会对需求端造成一定影响，但鉴于存储芯片终端需求市场结构的变化，以及疫情对服务器级产品的需求可能还将有一定的促进作用。

综合来看，对存储芯片市场全年需求的影响不大。

存储芯片需求：手机、服务器、PC 端需求合计约占 85%从应用领域的角度看，手机、服务器、PC 分别占存储芯片需求的 37%、28%、20%。

根据 Trendforce 的数据，在 DRAM 的下游应用领域中，手机、服务器、PC 分别占 41%、 32%、13%。根据 IHS 的数据，NAND Flash 的下游应用领域中，手机、PC、服务器分别占 33%、26%、24.5%。

由于 DRAM 和 NAND Flash 产值规模接近且两者相加基本构成存储芯片总产值，因此综合来看，手机、服务器、PC 分别占存储芯片需求的 37%、28%、 20%。以下分三类应用分别展开分析。

手机端：销量下行，平均单机存储芯片容量上升，存储芯片需求上升

线下销售渠道受冲击，预估 2020Q1 国内手机销量同比-40%，全年同比下滑10%。国内智能手机线下销量占比约 7 成，分品牌来看，我们估算 2019 年华为（含荣耀）线下销量占比 6~7 成，小米线下占比 4~5 成，OPPO、vivo 线下占比 8~9 成。

整体来看，2016-2019年，中国及全球智能手机销量连年下降。我们预测，受本次新冠疫情冲击，2020Q1 中国智能手机销量将同比-40%，全年同比-10%。

海外短期需求亦受到疫情影响，整体来看预计全球 Q1 同比下滑15~20%，全年同比下滑5~10%。

△来源：IDC（含预测）

△来源：IDC（含预测）

线上销售、5G 换机将部分对冲疫情对于 2020 年手机销量的冲击。2020 年智能手机销售有 2 个主要变化：

1）受疫情影响，国内智能手机的部分销售将从线下转为线上，消费者线上购买占比提升。

2020 年 1 月中国智能手机线上销量（HOVMS 天猫旗舰店销量，华为包含荣耀）101.8 万部，环比增长12%；

2）5G 手机销量将快速增长。随着全球更多地区开始 5G 商用部署、各品牌陆续推出 5G 机型，5G 手机销量有望快速增长。

据 IDC 预测，2020 年 5G 手机出货量将占总出货量的 8.9%，达到 1.235 亿部。而 2020 年 1 月国 内 5G 手机线上销量 15.82 万部，环比增长9.18%，占手机线上总销量的 15.5%。

智能手机 DRAM、NAND Flash 的平均单机容量均呈现出明显增长趋势，平均单机容量增速大于手机销量下滑速度。

TrendForce 数据显示，DRAM 在智能手机上的平均单机容量 2010-2019 年 CAGR 为 25.1%，预测 2020 年同比增长 13%。数据显示，NAND Flash 在智能手机上的平均单机容量 2014-2019 年 CAGR 为 31.2%。

平均单机存储芯片容量增速仍大于国内 2020 年智能手机销量同比下降幅度（-10%）。

综合手机销量和手机平均单机存储芯片容量来看，存储芯片在智能手机领域的需求将呈上升趋势。

2020 年，智能手机的销量下行将对存储芯片需求造成一定负面影响，但手机线上销售、5G 换机等因素将抵消部分消极影响；

除此之外，平均单机 DRAM、NAND Flash 容量增速仍大于目前推测的国内 2020 年智能手机销量同比下降幅度，完全抵消了手机销量下降对于存储芯片需求的负面影响。

综合来看，存储芯片在智能手机领域的需求将呈上升趋势。

PC 端：销量下行，平均单机存储芯片容量上升，存储芯片需求上升

预计 PC 出货量在 2020 年后呈下降趋势，2020-2022 年 CAGR 为-2.5%。2011-2018年，全球 PC出货量连年下降，根据 Gartner的数据，2019年全球 PC出货量同比增长0.6%， 达 2.61 亿台。

Gartner 预测，PC 出货量预计仍将在 2020 年及以后呈下降趋势，预计2020-2022 年 CAGR 为-2.5%。

微软在 2020 年 1 月 14 日放弃对 Windows 7 的支持，Windows 10 将通过定期更新进行系统升级，因此未来 Windows 操作系统升级带动的 PC硬件升级周期将会结束。

PC 的平均单机 DRAM、NAND Flash 容量呈上升趋势，平均单机容量增速大于 PC销量下滑速度。2019 年下半年 PC 的主流机型搭载的 DRAM 容量为 8GB。

而根据 Yole预测，2024 年 PC 的 DRAM 平均单机容量超过 10GB，保守估计 2019-2024 年 DRAM 平均单机容量 CAGR 为 4.6%以上，高于 PC 销量下跌幅度，相应预估 2020 年 PC 的 DRAM平均单机容量约 8.4GB。DRAMeXchange 的数据显示，目前 PC 的平均单机 NAND Flash搭载量在 500GB 左右。

据 Yole 预测，2024 年，PC 的平均单机 NAND Flash 搭载量高于1000GB，且 SSD 在消费类 PC 中的渗透率不断提升，则保守估计 2019-2024 年 PC 的NAND Flash 平均单机容量 CAGR 为 14.9%以上，高于 PC 销量下跌幅度，抵消了 PC 销量下跌对存储芯片需求的影响。

综合 PC 销量和 PC 平均单机存储芯片容量来看，存储芯片在 PC 领域的需求将呈上升趋势。

2020 年，PC 销量下行将对存储芯片需求造成一定负面影响，但 PC 平均单机DRAM、NAND Flash 容量增速（预计分别为 20%、39%）大于 PC 销量同比下降幅度（预 计-2.5%），抵消了 PC 销量下降对于存储芯片需求的负面影响。综合来看，存储芯片在 PC领域的需求将呈上升趋势。

服务器：云厂商资本开支上行周期，疫情强化服务器的存储芯片需求增长趋势

2020 年全球云厂商资本支出仍处于上行周期，未来几年仍是国内云厂商大规模资本投入周期，带动 2020 年服务器市场回升。根据 IDC 数据，2019 年全球服务器出货量为 1133 万台，2019 年上半年为上一轮服务器景气周期底部。2019Q4 全球一线云厂商资本支出同比-4%，继续处于复苏通道。

目前看来，云厂商资本支出仍处于周期性上行阶段，预计将至少能持续到 2020H1，主要厂商谷歌、微软、亚马逊、Facebook 等亦表示 2020年将维持资本支出稳健增长。

由于国内云市场的发展路径整体与北美市场相似，主要差异在于国内云市场发展整体滞后北美市场 4-5年，底层基础设施的建设进度预计落后2-3年，因此预计未来几年仍是国内云厂商大规模资本投入周期，包括对大型 IDC 的租赁需求，对服务器、存储的采购需求等等。

据 Gartner 预测，在云、AI 等新型 IT 基础设施建设的推动下，2020 年服务器市场有望回升。

疫情期间服务器行业受益于扩容需求增加，短期需求暴涨。受到新冠疫情影响，远程办公、远程教育、短视频、电商/新零售、互联网医疗等的需求急剧上升。

以远程办公行业为例，钉钉和企业微信的在线办公人数都创新高，分别超过了 1000 万家和达到数百万家。

根据腾讯云公众号的数据，从 1 月 29 日开始到 2 月 6 日，腾讯会议日均扩容云主机接近1.5 万台，8 天总共扩容超过 10 万台云主机。

此外，阿里钉钉在 2 月 3 日也通过阿里云紧急扩容 1 万台服务器，2 月 4 日再度扩容 1 万台云服务器，以应对群直播和语音视频会议的流量洪峰。

此次疫情带来的远程办公、音视频会议等需求暴涨有望带来服务器需求边际改善，我国服务器市场将迎来新一轮增长。

服务器的平均单机 DRAM、NAND Flash 容量呈显著上升趋势。据 DRAMeXchange预测，服务器的 DRAM 平均单机容量将从 2019 年的 304GB 上升至 2020 年的 397GB，涨幅达 30%。

根据 ChinaFlashMarket 数据测算，服务器的 NAND Flash 平均单机容量将从 2019 年的 2300GB 增至 2020 年的 2700GB，增幅达 17%。综合服务器出货量、服务器平均单机存储芯片容量等 2 个增长因素，存储芯片在服务器领域的需求将呈显著上升趋势。

疫情对全球存储芯片需求影响的推演：疫情全球蔓延下的需求变化

我们把存储芯片需求分为手机、PC、服务器、其他共 4 个部分（前 3 个应用领域合计占存储芯片需求的约 85%），其中，疫情对于存储芯片需求产生负面影响的主要是手机、PC 领域，服务器 2020 年的出货量预期呈上升态势，叠加疫情影响更强化了增长的预期。

下面我们主要对疫情蔓延下手机、PC、服务器端的需求作出测算，并与疫情前的预期做比较。

悲观情形假设疫情在全球主要市场全面蔓延。目前疫情在全球呈快速蔓延趋势，各国政府采取不同程度的防控措施，最终疫情得到基本控制的时点具有不确定性，因此我们作出 2 种情景假设，中性情形假设中国国内的疫情在 4 月底得到基本控制，生产消费活动恢复，全球疫情在 2020Q2 结束前得到基本控制；悲观情形假设疫情在全球全面蔓延，2020Q3得到基本控制。

手机端：出货量萎缩，叠加单位存储容量增长，中性和悲观情形下预计 2020 年 DRAM需求分别同比增长9.1%、1.1%，NAND Flash 需求分别同比增长26.7%、17.4%，均低于疫情前预测。

1）在中性情形下，我们预计 2020Q1 中国地区手机出货量同比下降 40%，Q2手机出货量同比下降 7%，根据亚太其他地区、欧美等不同国家目前的疫情发展程度，对其 2020Q1、Q2 的手机出货量作出假设，并假设 2020 年 Q2 结束前疫情得到基本控制，全球手机需求只是推迟而没有消失，假设 2020 下半年全球出货量同比增长6%。

经测算，2020年全球手机出货量同比-3.5%，中国手机出货量同比-6%，与 TrendForce 在 3 月 5 日发布的预测相近。

中性情形下，手机出货量萎缩叠加了单机存储容量增加的影响后，预计 2020年智能手机 DRAM 需求同比增长9.1%（低于 Trendforce 在疫情前给予的智能手机 DRAM需求预测增长17.1%），智能手机 NAND Flash 需求同比增长26.7%（低于 ChinaFlashMarket在疫情前给予的 NAND Flash 整体需求预测增长45%）。

2）在悲观情形下，假设疫情在亚太多个国家、欧美全面蔓延，对亚太其他地区、欧美的 Q1 出货量影响均为-20%，对两者Q2 的影响均为-40%，对非洲及中东、拉美等其他地区在 2020Q2 的影响是-10%。

并假设2020 年 Q3 左右疫情得到基本控制。经测算，2020 年全球手机出货量同比-10.5%，中国手机出货量同比-12%，与 Strategy Analytics 在 3 月 3 日发布的预测相近。

悲观情形下，手机出货量萎缩叠加了单机存储容量增加的影响后，预计 2020 年智能手机 DRAM 需求同 比增长1.1%（大幅低于 Trendforce 在疫情前给予的智能手机 DRAM 预测增长17.1%），智能手机 NAND Flash 需求同比增长17.4%（低于 ChinaFlashMarket 在疫情前给予的 NAND Flash整体需求预测增长45%）。

PC 端：出货量萎缩，叠加单机容量增加影响，中性和悲观情形下预计 DRAM 需求分别同比增长1.2%、下滑2.6%，NAND Flash 需求分别同比增长11.2%、7.0%。

1）在中性情形下，我们采用 Canalys 的预测，假设 2020Q1 全球 PC 出货量同比下降 10%，Q2 出货量同比下降 9%，下半年需求增长2.3%，2020 年全年出货量-3.2%。

中性情形下，PC 出货量萎缩叠加单机容量增加影响，预计 2020 年 PC 端 DRAM 需求同比增长1.2%（低于 Trendforce 疫情前给予的 PC 端 DRAM 需求预测增长11.4%），PC 端 NAND Flash 需求同比增长11.2%（低于 ChinaFlashMarket 在疫情前给予的 NAND Flash 整体需求预测增长45%）。

2）在悲观情形下，疫情在全球其他主要市场蔓延，假设 2020Q1 全球 PC 出货量同比下降 20%，Q2出货量同比下降 15%，下半年需求增长2.3%，则 2020 年全年出货量-6.9%。

悲观情形下，PC 出货量萎缩叠加单机容量增加影响，预计 2020 年 PC 端 DRAM 需求同比-2.6%（低于 Trendforce 疫情前给予的 PC 端 DRAM 预测增长11.4%），PC 端 NAND Flash 需求的同比增长7.0%（低于 ChinaFlashMarket 在疫情前给予的 NAND Flash 整体需求预测增长45%）。

服务器端：疫情刺激云计算需求，叠加单机容量提升，中性和悲观情形下预计 DRAM需求分别同比增长40%、42%，NAND Flash 需求分别同比增长25%、27%。

1）中性情形下，我们假设在疫情刺激下，2020Q1、Q2 全球服务器出货量分别同比增长 10%、8%，下半年同比增长5%，2020 年全年出货量增长6.9%。

中性情形下，服务器出货量增加叠加单机容量增加影响，预计 2020 年服务器 DRAM 需求同比增长39.8%，NAND Flash 需求同比增长25.4%。

2）在悲观情形下，疫情在全球其他主要地区蔓延，对云服务需求进一步扩大，假设 2020Q1全球服务器出货量同比增长15%，Q2 出货量同比增长10%，下半年需求增长5%，则 2020 年全年出货量增长8.5%。

悲观情形下，服务器出货量增加叠加单机容量增加影响，预计 2020 年DRAM 需求同比增长42.0%，NAND Flash 需求的同比增长27.3%。

△表 8：服务器出货量变动对于存储芯片需求的影响测算

基于以上测算，我们预计 DRAM 需求受疫情的负面影响小于 NAND Flash，NANDFlash 需求低于疫情前预估但仍将保持 25%以上增速。

综合手机、PC、服务器三个主要应用的预测，在中性情形下，我们预计 2020 年全球 DRAM 需求同比增长 17.45%，与Trendforce 在疫情前预测的全年增长率 17.59%接近，这主要是由于手机和 PC 端的出货量下滑与服务器端的需求增长相对冲。

中性情形下预计 2020 年全球 NAND Flash 需求同比增长 32.45%，低于 ChinaFlashMarket 疫情前预估的全年增长率 45%，主要是由于NAND Flash 市场中服务器应用占比相对较小，因此其需求增长不及手机及 PC 端出货量下滑的影响。

在悲观情形下，我们预计 2020 年全球 DRAM、NAND Flash 需求分别同比增长 13.53%、26.06%，较疫情前预估的增速分别下滑 4pcts、19pcts。

综合考虑疫情对手机、PC 销售的阻碍以及对云计算服务器需求的刺激，我们认为 DRAM 需求受疫情的负面影响小于 NAND Flash，主要是由于 DRAM 在服务器端需求具有 30%以上的占比，对冲了其他应用带来的下滑。NAND Flash 需求低于疫情前预估但预计仍将保持 25%以上较快增速。

五、涨价后续还能否持续？对国内企业有何影响？

综合上文分析，我们认为供给端晶圆厂产能受到疫情直接影响较小，主要关注新厂房建设、设备材料运输和过关、封测厂复工率问题，综合判断短期产能仍有小幅扩张。

预计2020 年 DRAM 和 NAND Flash 产能扩增幅度分别增长3%、9.1%。需求端，我们认为疫情加重了智能手机和 PC 销量下行，同时刺激了云服务器需求，两影响因素部分对冲，叠加单机存储芯片容量增长后，整体需求仍然维持增长态势。

中性情形下，预计 2020 年DRAM、NAND Flash 需求同比增长17.45%、32.45%，悲观情形下，预计 2020 年 DRAM、NAND Flash 需求同比增长13.53%、26.06%。均较疫情前预测的增长率增长17.59%、45%有所下滑。

DRAM 和 NAND Flash 的需求增速仍高于供给扩产增速。我们预计当前供给扩张小于需求成长的状况尚不会出现明显转换，后续涨价趋势仍有望持续。

对于未来价格走势，还可以在存储价格周期视角下加以判断。

DRAM 价格周期大概 3~4 年，目前处于周期底部复苏阶段，后续仍有价格上涨动力。2019 年 12 月，DRAM 价格阶段性触底，基本接近 2016H1 的价格底部。

2019 年 12 月~2020年 2 月价格上涨约 20%，但总体仍处于底部区间。根据前文分析，供给和需求端目前都较为平稳，我们预计随着疫情形势逐渐走向乐观，相关需求恢复，价格仍将有较大的上涨空间。

因此认为 DRAM 价格下行空间不足，未来上涨概率较大。同时，如果日韩疫情出现严重变化，出现不利于供给端局面，考虑到下游可能有增加备货、渠道囤货，库存水平提高，不排除价格短期快速上涨可能性。

NAND Flash 价格周期同样大概 3~4 年，目前处于周期底部复苏阶段，后续仍有价格上涨动力。

2019 年年中，NAND Flash 价格阶段性触底，低于 2016 年年中的前一轮底部价格，伴随云端需求改善，随后半年内价格开始出现回升。目前价格仍然处于总体底部区间，在供求平稳的状态下，后续仍然具备上涨空间。

同时，如果日韩疫情出现严重变化，出现不利于供给端局面，考虑到下游可能有增加备货、渠道囤货，库存水平提高，不排除价格短期快速上涨可能性。

△资料来源：inSpectrum Tech，中信证券研究部

对国内存储企业而言，行业景气有利于其快速成长。目前国内 DRAM项目厂商主要是合肥长鑫，NAND Flash项目厂商主要是长江存储，均处于研发成功后逐步建设产能阶段。

从产能来看目前两家在全球占比均较为微小，截至2019 年底合肥长鑫和长江存储产能均在 2 万片/月左右。

从技术来看，目前两家均较三星等国际领先大厂落后一代左右，例如合肥长鑫目前节点为 1x nm（大致 17~19nm），而三星产能在 1y nm（大致 14~16nm），逐渐向 1z nm（11~13nm）进军；

长江存储目前研发出 64 层 NAND Flash，正在研发 128 层，而三星产能已达 92 层，逐渐向 128 层进军。若后续存储芯片继续涨价，行业景气将有利于两家厂商的销售和扩张。