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[导读]摘要:陶瓷柱栅阵列封装器件(CCGA)由于其诸多的技术优势,在高可靠性产品中大量被选用。本文以XQR2V3000-CG717(铅柱为Pb80/Sn20)为例开展了高可靠性组装工艺研宄工作,详细论述了组装工艺及环境应力试验过程并开展了可靠性分


摘要:陶瓷柱栅阵列封装器件(CCGA)由于其诸多的技术优势,在高可靠性产品中大量被选用。本文以XQR2V3000-CG717(铅柱为Pb80/Sn20)为例开展了高可靠性组装工艺研宄工作,详细论述了组装工艺及环境应力试验过程并开展了可靠性分析,从最终的试验结果看,CCGA器件焊接后,焊料与PCB焊盘及焊柱间润湿良好;焊料与焊盘间形成的合金层均匀连续,厚度在0.5um-30um之间,均匀处约在lum左右,从形貌上看,基本以Cu6Sn5的典型扇贝状形貌呈现,均未见明显的CU3Sn形成;说明焊接工艺(温度、时间)较为适宜,CCGA器件焊接工艺良好、稳定。

 

关键词:柱栅阵列;CCGA;金属间化合物;焊接;工艺

 

 

1概述

CCGA是陶瓷柱栅阵列封装的简称,如图1所示,是在CBGA封装技术的基础上发展而来的,与传统的BGA封装器件相比,CCGA封装器件具有良好热匹配性、抗振、抗冲击性能、耐高温、高可靠、易清洗等优点,由于使用柱栅取代了球栅,大大缓解了陶瓷载体与环氧玻璃布印制板之间由于热膨胀不匹配而带来的热疲劳问题[1];与此同时,众多的I/O数解决了多逻辑、大量数据的微处理需求[2],因此该类封装器件在高可靠性产品中被大量选用。

虽然CCGA封装器件具有诸多的应用技术优势,但是在实际工程应用中也存在很多工艺性问题,需要引起我们的足够重视。首先是铅柱底面的氧化问题,由于器件从制造到工程应用跨越的周期比较长,尤其近年来国外的产品(例如XILINX的CG717)供应链的问题,导致器件进入工程应用的周期较长,这也是造成器件管脚氧化的重要原因,图2是某产品CCGA器件未进行工艺处理前的焊柱端面氧化的图片,其次,焊柱端面的共面性问题也是影响焊接可靠性的重要因素之一,GSFC-STD-6001规定,引脚的共面度应优于0.15mm,若共面度不好,将造成局部铅柱端面焊料不足,不能形成360°焊料环绕;第三,在实际组装过程中发现,来料的CCGA铅柱存在歪斜的物理缺陷,图3是个别焊柱歪斜造成焊接后焊柱与焊盘对位偏差较大的X-RAY图片,这种缺陷若不进行相应的工艺处理,将严重影响产品的可靠性。

    本文针对上述问题,以实际工程应用较多的XILINX公司XQR2V3000-CG717为例开展了高可靠性组装工艺研究,并寄希望于给工艺实施提供一定的技术指导。

2CCGA封装器件结构特点

CCGA封装又称圆柱焊料载体,是CBGA技术的扩展,CBGA是陶瓷球栅阵列的简称,图4是CBGA焊端及焊接前后对比图,其焊球为高铅焊料,焊接过程焊料不熔化,在封装基体以及PCB焊端均使用焊料填充[4]。

 

  

而CCGA封装采用焊柱代替焊料球作为互联基材,是当器件面积大于32mm2时的CBGA的替代品,如图5所示,顶部为陶瓷基板封装组合体,内置功能芯片(多为倒装形式),其顶部封装有热沉导热盖板;封装体底部为高铅焊柱阵列,焊接过程焊柱不熔化。

 

  

这种封装体结构,缓解了封装体陶瓷基板(6.ppm~7ppm)与PCB(17ppm21ppm)之间的热匹配问题,图6是TOPLINE公司针对BGA封装与CCGA封装进行了热匹配试验示意图,从图中可以看出,相比之下,高铅焊柱能够在一定程度上吸收热试验过程中产生的残余应力,确保端接处焊点的可靠性。

常见的CCGA焊柱阵列有90Pbl0Sn和80Pb20Sn两种,从目前市场应用情况看,进入中国市场的CCGA器件,以80Pb20Sn焊料居多,两种焊柱均为高铅焊柱,焊接过程焊料不熔化。图7是两种焊柱结构示意图,其中90Pbl0Sn为铸型柱结构,最早为IBM公司产品而开发的;80Pb20Sn带有铜缠带,表面有63Pb37Sn焊料层,铜缠带的加入会使焊柱在保证一定的强度的同时会具有一定的韧性。

CCGA焊柱还有一种叫微弹簧结构的封装形式,见图8。这种微弹簧焊柱结构最早是NASA开发的。资料显示,微弹簧焊柱能够承受最大50000g的机械冲击,这种带有微弹簧焊柱的CCGA封装器件目前在国内很少遇到。

 


3组装可靠性试验验证

.1试验方案设计

选用XQR2V3000-CG717M器件作为试验样品,样品数量3片,试验项目包括:温度循环、随机振动、机械冲击,其中1#~3#进行温度循环试验,取1#样品进行金相切片/SEM分析;2#~3#进行随机振动试验,取2#样品进行金相切片/SEM分析;3树¥品进行机械冲击试验,然后进行金相切片/SEM分析。器件外观结构及尺寸件图9。

3.2试验条件

温度循环按照IPC-9701-TC5的有关要求,对试验样品进行温度循环试验,试验条件如下:-55°C?+100°C,髙低温各停留10min,温变速率不小于10°C/min,试验周期为200个循环。随机振动、机械冲击按照表1和表2执行。

3.3 PCB设计

    根据所选CCGA器件(CG717)所用高铅柱的尺寸和间距fPCB焊盘直径设计为0.8mm,板厚为2mm,阻焊开窗0.9mm,共计10层,PCB外围尺寸为240mm×160mm;PCB带有菊花链路,每个CCGA封装共设计6个通路,任意一个通路上的适当位置均以线路条的方式向外与测试孔相连,以判定故障通路的具体失效位置。当各个菊花链路通路的电阻值超出常态下电阻值的20%时,即可判定菊花链路失效。如图10所示。

3.4组装及焊接

3.4.1铅柱阵列整形及预氧化处理

如前文所述,Pb80/Sn20铅柱在周转某环节中容易发生歪斜,若歪斜角度达到一定的限度,影响铅柱与焊盘的对位,造成铅柱相对于焊盘的偏移,严重情况下,焊接后焊柱周边焊料填充不足,进而影响可靠性。与BGA球栅阵列不同的是,柱栅阵列焊料的自对中效应有限,必须进行铅柱矫正处理来保证焊接过程中CCGA高铅柱的准直性。GSFC-STD-6001对铅柱植柱后的质量进行了界定,其中就有关于铅柱歪斜允许角度的定义,具体为:

(1)在焊柱周边至少有75%的焊料覆盖,并形成良好的润湿角;

(2)单个铅柱相对于其他铅柱歪斜度不应超过5°;

(3)整排铅柱歪斜角度不应超过10°[3]。

使用专用工装对CCGA铅柱进行整形处理,图11整形工装示意图,整形分两步进行,第一步是粗校,第二步是精校。整形的基本原理是使高铅柱沿锥形导引孔运动至直径与高铅柱直径相近的孔内完成校形。粗校可使歪斜较为严重的高铅柱恢复到一定范围内,精校过程可在粗校的基础上进一步保证高铅柱的倾斜处在标准规定的范围之内。

高铅柱在空气中极易发生氧化,造成可焊性差、虚焊等可靠性隐患,因此在CCGA回流焊接前需对高铅柱进行去氧化处理,达到氧化层去除和共面度优化的目的。使用精校工装保证髙铅柱在打磨过程中不会发生二次歪斜,将金相砂纸置于玻璃表面,将露出端部的高铅柱在砂纸表面打磨,直至露出新鲜的表面。打磨过程中用去离子水进行冷却,防止高铅柱摩擦过热发生组织形态转变或二次氧化,去离子水还可保证所有高铅柱处于同一电势。

去氧化处理后,使用无水乙醇对高铅柱进行清洗,去除高铅柱表面残留的多余物。清洗烘干处理后,使用放大镜对高铅柱进行逐根检查,检查内容包括:平整度、是否歪斜、氧化情况及是否存在变形等。图12是去氧化处理前后对比图,可以看出,经过去氧化处理后,CCGA焊柱端面工艺性良好。

(未完待续)


本号文章来源于公众号高可靠电子装联技术



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