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[导读]一、疲劳损伤过程的不同阶段 疲劳损伤过程是交变载荷作用而引起的结构材料性能衰减的过程,也是微裂纹的形成及扩展的过程。实验观察表明,无缺陷金属和合金等工业材料,疲劳微裂纹总是在自由表面处形成,有三类形核位置,主要是驻留滑移带(Persistent Slip B


一、疲劳损伤过程的不同阶段

疲劳损伤过程是交变载荷作用而引起的结构材料性能衰减的过程,也是微裂纹的形成及扩展的过程。实验观察表明,无缺陷金属和合金等工业材料,疲劳微裂纹总是在自由表面处形成,有三类形核位置,主要是驻留滑移带(Persistent Slip Band,PSB)、晶界和表面夹杂,然后一部分微裂纹继续扩大,形成宏观裂纹,直至破坏。因此,金属结构的整个疲劳损伤过程一般可分为裂纹起始阶段、裂纹扩展阶段和瞬时断裂阶段。图1显示了疲劳损伤过程的不同阶段。


图1 疲劳损伤过程的不同阶段

在图1中,裂纹起始阶段包括循环滑移、微裂纹形核和微裂纹扩展,裂纹扩展阶段主要指宏观裂纹的扩展情况。循环滑移需要循环剪应力,在剪应力作用下,当晶体在没有任何缺陷情况下滑移时,晶体上下两部分沿滑移面做整体滑移;当晶体中存在位错时,晶体的滑移不是整体滑移,而是位错在剪应力作用下沿滑移面逐步移动。当大量位错重复此移动方式,则在晶体表面会形成滑移痕迹,多个滑移痕迹又组成滑移带。而微裂纹形核由滑移带中的不可见微裂纹形成,通常在疲劳损伤早期就已发生。在微裂纹形核后,微裂纹沿滑移面扩展,深入表面很浅,而且是有很多沿滑移带的裂纹,这是微裂纹的扩展阶段。微裂纹扩展是缓慢且不规律的过程,但在离开形核点的位置出现一些微裂纹扩展之后,便观察到更规则的扩展。当微裂纹扩展不再依赖于材料表面状态时,认为裂纹起始阶段结束。

裂纹扩展阶段是从微裂纹过渡过来的宏观裂纹的扩展,当微裂纹的扩展不再依赖于材料表面状态时,可认为是裂纹扩展阶段的开始。在该阶段,裂纹扩展速度增加,扩展方向与拉伸应力方向垂直,且是单一裂纹的扩展。一般认为裂纹长度在某个范围内的扩展为裂纹扩展阶段。

瞬时断裂阶段是构件失稳扩展而断裂的阶段。当应力循环累积到一定数量时,裂纹已扩展到足够大,承载载荷的横截面面积足够小,即达到了临界尺寸值,此时构件会瞬时脆性断裂,形成粗糙颗粒状的断裂区。

二、位错对结构疲劳损伤的影响

实际晶体存在着多种类型的缺陷,如点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。这些缺陷使局部的原子排列不再规则并改变了晶体的性质,特别是对塑性、强度和扩散等有着决定作用。其中,位错属于线缺陷,即晶体中晶格变形区域呈线状的缺陷,是晶体中比较常见的一种结构缺陷。位错与其他晶体缺陷关系密切,常被用来解释其他晶体缺陷的形成。

1.位错类型及表述

晶体中的位错类型很多,但存在两种基本类型,一种为刃型位错,另一种为螺型位错,同时并存以上两种位错类型的,称为混合型位错。

假设一个长方形晶体,其三条边分别与x、y和z重合,若沿y轴负方向,平行于xoy面切入晶体,会造成如阴影面ABCD 的切口,如图2a所示。此时,若在y 轴负方向上,对ABCD上半部的晶体作用一个力,使ABCD面的上半部晶体相对于晶体的其余部分沿y轴负方向滑移一个原子间距(用滑移矢量b表示)。然后使切面上下部分结合起来,在BC处会形成一个位错,这种位错称为刃型位错,如图2b所示。若在x轴负方向对ABCD面的上半部晶体作用一个力,使上半部的晶体相对于晶体的其余部分沿x轴负方向滑移一个原子间距(也用滑移矢量b表示)。然后使切面上下部分胶合起来,此时在BC处也会形成一个位错,这种位错称为螺型位错,如图2c所示。


图2 晶体位错类型示意图

根据位错的定义可知,刃型位错有如下特点:①滑移矢量b 与位错线BC 互相垂直;②刃型位错具有额外的半原子面,图2b中的BCEF即为额外的半原子面;③刃型位错有正、负之别,若半原子面在滑移面之上,则为正刃型位错;若半原子面在滑移面之下,则为负刃型位错;④正刃型位错的上半部分晶体受压应力,下半部分晶体受张应力,而负刃型位错相反。

螺型位错有如下特点:①滑移矢量b与位错线BC互相平行;②螺型位错没有额外的半原子面;③螺型位错有左、右螺旋之别。从刃型位错的发展判断螺型位错是左是右的方法为:令手臂沿着刃型位错指向螺型位错,把手背朝着额外的半原子面,从而向外伸开的拇指沿着螺型位错。如用右手才能办到,即为右螺型位错,如用左手才能办到,则为左螺型位错。

实际晶体中的位错往往没有图2列举的那两种单纯的位错,而要复杂得多,即位错线与滑移矢量既不平行又不相互垂直,这一类位错称为混合型位错。但任何混合型位错都可以看成是刃型位错和螺型位错的组合。

位错主要通过位错密度进行表征,所以位错密度是表征晶体中位错多少的一个物理量,即表征单晶结构完整性的一个量。位错属于线缺陷,一般将位错密度ρ定义为单位体积晶体内位错线的总长度,即



式中,ρ为位错密度,单位为cm-2;L为晶体内位错线的总长度;V为晶体的总体积。

若用实验方法精确测定晶体内位错线的总长度是困难的。因此实际工作中,经常用腐蚀坑法估计位错密度。根据位错的一般特性,位错附近的晶体中存在很大的应力,且位错线与晶体表面相交处(位错线露头处)附近的原子位能要比完整晶体部分的原子位能大,所以位错线的露头处在化学腐蚀液中容易被腐蚀掉,形成腐蚀坑。这样,位错密度可定义为单位晶体表面上腐蚀坑的数量,即


式中,S为对腐蚀坑计数的晶体表面积;N为S表面积上腐蚀坑的总数目。

用腐蚀坑法测量位错密度是一个近似的方法。这是由于位错线在晶体内成环状形式存在时,是不显露在晶体表面的。同时,晶体内有些位错线虽然与表面相交,但不一定相交在观测面上,分布也不均匀。而且位错线有时相距很近,当腐蚀时间过长时,很可能两根或两根以上的位错线只显示一个腐蚀坑。因此,用腐蚀坑法测得的位错密度一般总是小于实际位错密度。在充分退火的金属晶体中,ρ通常在10^6~10^8cm-2之间。而位错密度随塑性变形而快速增加,30%~40%冷塑性变形后的金属晶体中,ρ为10^11~10^12cm-2。

除腐蚀坑法外,位错密度的测量和计算方法还包括透射电子显微镜法( Transmission Electron Microscope,TEM)、X射线衍射法(X-Ray Diffraction,XRD)、正电子湮灭法等。

2.位错对金属强度的影响

位错对金属强度有着重要的影响。图3所示为位错密度和金属强度的关系。


图3 金属强度与位错密度之间的关系

从图3中可以看出,在位错密度增加的初期,金属的实际强度下降很快。但随着位错密度继续增大,金属晶体的强度又会上升,这是因为位错密度继续增加时,位错之间会产生相互作用,包括:①应力场引起的阻力,如位错塞积,当大量位错从一个位错源中产生并在某个强障碍(晶界、析出物等)面前停止的时候就构成了位错的塞积;②位错交截所产生的阻力;③形成割阶引起的阻力(两个不平行柏氏矢量的位错在交截过程中在一位错上产生短位错);④割阶运动引起的阻力。研究表明,金属的塑性变形抗力的增加与位错密度之间有如下关系:


式中,α为强化系数;G为切变模量;b为柏氏矢量;ρ为位错密度。

3.疲劳损伤过程中的位错和塑性变形

基本上,塑性变形是由滑移和攀移两类位错运动组合而成,而疲劳损伤过程伴随着塑性变形,所以疲劳损伤过程可由位错变化来描述。总体来讲,疲劳损伤过程第一阶段表现为位错密度的快速增加达到饱和。第二阶段位错密度几乎稳定不变,位错的产生和灭绝保持在平衡状态。同时,在塑性区域形成位错偶极子和位错单元结构,且位错的钉扎作用会引起位错群的形成,从而造成位错塞积、空位聚合,形成空洞、萌生微裂纹。第三阶段,微裂纹扩展形成宏观裂纹,直至断裂。以单滑移取向的面心立方体为例,在恒分解塑性切应变幅作用下的对称循环疲劳试验中,其饱和应力-应变曲线分为A、B、C三个区,各个区对应不同的位错结构,如图4所示。



图4 饱和应力-应变曲线不同区域分析

在A区,塑性应变幅较低,对应疲劳初始阶段位错聚积。在循环载荷的作用下,材料出现加工硬化,饱和应力不断变大。这时可在表面上观察到一些细小的滑移痕迹。在这个阶段,循环变形会产生一些高位错密度区(密度高达1015m-2),呈条状,中间被低位错密度区分隔,形成位错脉络。脉络阻碍主滑移面上的位错运动,对硬化有一定贡献。

在B区,饱和应力不随塑性应变的增加而变化。外加塑性应变的增大使得滑移沿某些带局部发展,产生驻留滑移带(PSB),驻留滑移带的位错墙所占体积比位错脉络的小,但是墙内的位错密度比位错脉络的高2倍,墙间通道的位错密度也比基体的高10倍。在这个阶段,总体的位错密度会保持相对不变,位错的产生和消失保持平衡。

在C区,随着塑性变形的进一步增加,迷宫状和胞状结构的位错逐渐显现出来,即形成位错胞。随着变形的继续,位错胞的形状和大小会跟着变化。对于不同加载情况、不同材料,材料的微观结构变化不尽相同,位错变化规律也不一定和图4-4所示一致。但是,疲劳过程伴随着位错数量和结构的变化是肯定的。位错运动与塑性变形和材料损伤发展密切相关。

材料表面形貌变化是塑性变形的外在表现,材料内晶界开裂是塑性变形的结果,而塑性变形的直接原因是位错塞积及变化,这也是塑性变形过程中磁化效应产生的根本原因。不同塑性变形阶段、不同疲劳损伤情况的试件,其内部位错结构有各自的特征。

变形时,如果晶体在滑移面两侧相对滑过,则在滑移面上所有的键都要断开,相对位移一个柏氏矢量b而产生永久变形,这是位错引起塑性变形的原因。塑性变形会导致微裂纹的产生,而微裂纹形核和扩展是材料寿命演变的重要阶段,疲劳寿命的绝大部分都花费在这个阶段了,可高达90%的疲劳寿命。前面提到,驻留滑移带是最普遍最基本的一种形核方式,而循环滑移意味着位错活动,所以除制造过程中产生的空洞、锻压崩裂、沉积粒子等缺陷,以及氧化、腐蚀这些环境效果外,位错塞积就是最基本的裂纹形核方式。随着塑性变形的增加,材料内位错塞积点的位错数目、位错塞积点的数量都会增加,这些位错塞积及发展就是微裂纹形核和微裂纹扩展的微观体现。随着塑性变形的继续发展,位错塞积就可能迸发成为裂纹。

三、结构疲劳中的累积损伤理论

累积损伤理论就是研究循环载荷作用下,疲劳损伤的描述和计算、疲劳损伤的累积规律及累积损伤的影响因素等。累积损伤理论是结构疲劳寿命估算的关键。目前,累积损伤理论模型可大致分为三类。

1.线性累积损伤理论

该理论认为,结构在各个应力水平下的疲劳损伤都是独立进行的,总损伤可以把各个应力水平下的损伤线性地累加起来,累加到某一程度就会产生疲劳破坏。其中最出名的是Miner理论。Miner理论认为,结构受应力幅Sa1重复作用N1次破坏,则在疲劳损伤整个过程中结构所受的损伤线性地分配给各个循环,则每一循环的结构损伤为D1=1/N1,若Sa1应力作用nl次,则损伤为Dn1=nl/N1,同样,在应力Sa2,Sa3,……作用下,损伤分别为Dn2=n2/N2,Dn3=n3/N3,……当结构的整个损伤完毕时,∑ni /Ni=1 ,此时,发生破坏。

除Miner理论外,还有Grover和兰格(Langer)理论,他们认为应该把疲劳的裂纹形成和裂纹扩展两个阶段分开,分别用Miner理论计算损伤,即在裂纹形成阶段



在裂纹扩展阶段



式中,n为疲劳裂纹形成阶段的循环次数;m为扩展阶段的循环次数;a为形成阶段占整个循环数中的比例。

2.修正线性累积损伤理论

修正线性累积损伤理论就是对Miner线性累积损伤理论进行修正,他们认为结构的疲劳损伤不能进行简单线性的累加,应该考虑应力之间的相互影响,并且认为在估算疲劳寿命时,也要有每类结构的疲劳曲线。

修正线性累积损伤理论的典型代表是科登(Corten)和多兰(Dolan)理论,他们从疲劳损伤的物理概念出发,建立疲劳损伤和形成裂纹数目(损伤核)之间的关系,并通过推导二级载荷下疲劳寿命的计算公式,得到了多级载荷下疲劳寿命的计算公式:



式中,N1为最高应力S1下的疲劳寿命;αi为在应力Si下的循环次数在总循环次数中所占的比例;d为二级载荷试验确定的一个材料常数。

除了Corten和Dolan理论外,还有弗罗登索尔(Freudenthal)和塞伦森(Serensen)等理论。Freudenthal理论认为,在疲劳损伤过程中,由于高应力的引进,在应力Si下的损伤应该是ωi(ni/Ni)。其中,



是一个大于1的因子,Si越小,ωi就越大,也就是说,在疲劳加载过程中,由于有高应力的作用,会加速低应力下的疲劳损伤,此时的疲劳寿命应按下式计算:


式中,d为由实验凑出来的一个材料常数,等于(δ-a);δ为疲劳曲线的斜率;a为高应力下循环次数在整个循环次数中所占的比例。

Serensen理论认为,疲劳损伤的累积并不是线性累加,而且达到破坏时的损伤总和并不等于1。疲劳损伤累积公式应为


式中,C 为依赖于载荷水平的某一个比例关系;m 为指数,ni为第i 级载荷的循环次数;Ni为第i级载荷下的疲劳寿命。

3.其他累积损伤理论

除上面提到过的线性和修正线性累积损伤理论外,还有一些是从实验和分析中得出的理论,多半是属于经验和半经验公式。其中最主要的包括:

1)富勒(Fuller)理论认为,考虑应力之间的相互影响时,只有低应力S2作用时, 疲劳寿命为N2,当有高应力S1引进后,寿命就降低了,这时疲劳寿命计算公式应为



式中



Na为最低应力下的常幅疲劳寿命;N1为最高应力下的常幅疲劳寿命。

2)莱维(Levy)理论从大量疲劳实验中推出一个损伤寿命(N)计算公式:


式中,α为高应力占的百分比;Nl是高应力;N2是低应力。

3)曼森(Manson)理论认为,结构受到一定的应力作用后,一般说这个应力历史对高应力疲劳寿命影响较小,对低应力疲劳寿命影响较大,原始材料在应力Sl下循环nl次后,任一应力的剩余寿命n2为


式中,N1为应力Sl下的疲劳寿命;N2为任一应力下的疲劳寿命;Np为具有存活率p的疲劳寿命。




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