中芯国际取得突破，将打破西方光刻机封锁

中芯国际接连取得突破，打破西方光刻机封锁!在我国半导体行业内，一直存在着一个重大问题，那就是我国国产光刻机的精度仅为90nm，90nm精度的光刻机与最热门的7nmEUV工艺相比，90nm光刻机做出来的芯片在功耗和性能上有很大差别。90nm精度的光刻机没有办法制作手机芯片，只能制造电视芯片或者一些比较低端的智能设备芯片。

当然了，相比于荷兰ASML公司领先世界的7nmEUV工艺，我国还需要更加努力，并且83nm的差距也不是一两年就能追平的，但在我国众多科技公司的努力下，西方国家的封锁将持续不了多久了。

为什么这么说呢?原来，近段时间中科院放出了一条消息，那就是我国多个科技公司和中科院联合研发出了一款22nm分辨率的光刻机，该光刻机一旦实现量产，我国就能够追回10年的差距。据透露，目前这款光刻机还处于实验测试阶段，我国正加大对光刻机的研发投入。

在中科院传来好消息的同时，另一边，中国的芯片“巨头”中芯国际也传来好消息。据中芯国际CEO梁孟松介绍，中芯国际目前已经成功研发出了N+1工艺，说起这种工艺，就大有看头了，因为与之前的14nm工艺相比，N+1工艺下的芯片无论是在性能还是在功耗比上都有很大的提升，而且这个提升已经逐渐逼近台积电的7nm工艺了。

要知道，在没有EUV光刻机的情况，中芯国际能取得如此傲人的成绩，可以说是非常不容易了。但中芯国际似乎还没有放弃前进的步伐，梁孟松透露，中芯国际还在继续研发更强悍的N+2工艺，并且预计N+1工艺能在明年年底投产。

据统计，中国每年进口的芯片量占据了全球芯片总产量的60%，如果在中科院和中芯国际的技术成熟后，这60%的需求当中将会有一半会被“中国制造”所取代，这也就意味着我国正逐步打破西方国家对光刻机以及芯片生产技术的封锁，我国半导体行业即将迎来曙光。