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[导读]2020年5月12日,业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。 同时,兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微(Reliance Memor


2020年5月12日,业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。


同时,兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微(Reliance Memory)签署了授权协议 。根据协议内容,兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用,这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局,从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。


RRAM作为一种非易失性随机存储方式,能够在改变电压的前提下,通过改变电介质的电阻进行存储。RRAM拥有独特物理与器件特性,可在工艺后端线(BEOL) 以列阵结构制造,其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗,非常适合物联网应用; 此外,根据学术界与行业发表的相关文献,在平衡性能、可靠性及成本的方面,RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存(SCM)。


兆易创新是一家扎根中国,服务全球的国际化公司,兆易创新一直密切关注存储领域的技术创新,积极进行战略布局,开拓具有差异化的细分市场。早在2018年5月,兆易创新就携手Rambus以及其他全球知名半导体投资机构创办了以RRAM技术为核心业务的合资公司合肥睿科微。


兆易创新董事长朱一明先生表示:“兆易创新一直以创新为己任,多年来致力新技术革新,强化产品竞争力,重视核心专利, 此次获得Rambus和睿科微针对RRAM技术的授权,有助于我们为客户提供更具创新特色的存储解决方案。”


Rambus技术合作和企业发展高级副总裁Kit Rodgers表示:“兆易创新在全球闪存领域已取得显著的成绩,我们很高兴能够将RRAM专利方案授权给兆易创新,此次授权能够帮助其在存储器领域开发创新型的解决方案,并加速其商用的进程。”



4月27日,合肥长鑫公司跟Rambus签署了内存授权协议,不过没有公布内存授权的具体内容。今天,Rambus又跟兆易创新签署了类似的协议,后者也获得了内存专利授权,同样没有公布具体金额。

根据兆易创新之前发布的公告,去年底该公司融资33.2亿元,主要用于DRAM内存研发及产业化,最快2021年开始量产。在募资公告中,兆易创新公布了这个项目的预计实施时间及整体进度安排,具体如下:

·2020年,兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义,包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

·2020年,兆易创新将定义首款芯片的生产职称,并将经过验证后的设计开展流片试样,反复修改直至通过系统验证。

·2021年,对首款芯片试样进行封装测试,并送交系统芯片商进行功能认证,并最终通过客户验证。

·2021年,首款芯片通过验证之后进行小批量生产,测试成功后进行大批量生产。

·2022-2025年,进行新系列芯片研发及量产。

-END-

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