长江存储研发128层QLC闪存 将启动二期工程：3倍产能提升

2019年，中国公司迈出了3D闪存国产化的关键一步，开始量产64层堆栈的闪存，目前还在扩张产能。接下来长江存储今年将会启动国家存储器基地二期工程，建成后产能将达到30万片晶圆/月，是一期工程的3倍，将大幅提升国产闪存的产能。

2016年3月28日国家存储器基地正式在武汉启动，当时由武汉新芯科技主导，不过7月26日，总投资约1600亿的长江存储科技有限责任公司正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司。

2017年底长江存储研发出了国内首个3D NADN闪存，32层堆栈，不过产量比较少，主要用于U盘、存储卡等产品。

2019年9月份，长江存储宣布量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，这是中国首款64层3D NAND闪存。

今年4月13日，长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。

按照长存的说法，这款产品的独特之处在于，它是业内首款128层QLC规格3D NAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

目前长江存储正在不断提升产能，今年底的目标将达到10万片晶圆/月的产能，这也是整个国家存储器基地一期工程的目标。

在一期工程进入尾声的时候，今年内长江存储将会开始国家存储器基地二期工程建设，建成后产能将达到30万片晶圆/月，意味着国内闪存的产能三倍增长，有助于提高市场占有率。

2019年底全球闪存月产能大概是130万片晶圆，考虑到未来的发展，国家存储器基地二期工程建成的时候，意味着长江存储有可能占据全球20%的产能，这个份额不低了，足够让长江存储跻身全球TOP3闪存供应商行列。