电子工程师都应该掌握的MOS管知识

• 可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器

• 很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换

• 可以用作可变电阻

• 可以方便地用作恒流源

• 可以用作电子开关

• 在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配

• VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道

• VGS=0，ID=0

• VGS必须大于0，管子才能工作

• VGS＞0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道

• VGS＞0 → g吸引电子 → 反型层 → 导电沟道

• VGS↑ → 反型层变厚 → VDS↑ → ID↑

• VGS ≥ VT时而VDS较小时：VDS↑ → ID↑

• VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGS，VT = VGS — VDS

• VGS 》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。
• VDS↑ → ID不变

1. 把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好。

2. 然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。

3. 把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。

4. 用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

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