消息来源:驱动之家
EUV(极紫外光刻)光刻机是7nm以下节点制程工艺必备的,但目前来说国内还没有使用EUV设备。
日前在回应投资者提问时,中芯国际董事长兼执行董事周子学表示,
关于设备采购公司依据相关商业协议进行,不对单一设备的采购情况进行评论。公司目前量产和主要在研项目暂不需用到EUV光刻机。
光刻是半导体芯片制造中最费时间也是最费成本的环节之一,它决定了芯片的工艺水平,常说的XXnm工艺主要是看光刻机水平,10nm工艺之后难度越来越大,光刻机也需要升级到EUV级别。
台积电在第一代7nm工艺上没有上EUV光刻机,但在7nm之后的工艺就很难避开EUV光刻机了,理论上可以用多重曝光的方式制造5nm级别的芯片,但是成本、良率都是个问题,无法拒绝EUV光刻机。
目前EUV光刻机只有荷兰ASML公司才能生产,单台售价超过1.2亿欧元,约合10亿元一台。之前的报道显示,中芯国际已经订购了一台EUV光刻机用于先进工艺研发,本应该在2019年交付,不过ASML公司一直没被批准出售。
此外,高盛还预测了中芯国际的技术升级路线,
认为中芯国际2022年可升级到7nm工艺,2024年下半年升级到5nm工艺,2025年毛利率将提升到30%以上。
在14nm工艺之后,中芯国际还有N+1、N+2代工艺,其中N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些,这两个工艺都不需要EUV光刻机。
N+1工艺在去年Q4季度就完成了流片,目前正处于客户产品验证阶段,预计Q4季度量产。
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