明年旗舰手机的三大配置：管你是苹果还是安卓，都需要顺应潮流

提起手机配置大家首先想到什么?屏幕、处理器、电池?没错这三个硬件配置最为重要，一个是重要的输入和输出介质，另一个决定了手机整体性能强弱，最后一个电池决定了续航。这三个配置或者说这三个配置决定的手机能力是所有消费者都会关心的。

但决定手机性能的可不仅仅只有这些明面上的配置，屏幕、处理器、电池正因为用户关心，所以手机厂商也有足够的重视，往往会基于更多的预算和成本，采购更好的元件以满足消费者需求。但有一些细节内容就显得不那么重要了，不过他们也是决定手机性能强弱的重要因素。

最典型的例子就是存储，存储分为内存RAM、主要存储ROM和外接存储卡一般是Micro-SD卡(当然并不是所有手机都有外接存储，比如苹果iPhone就没有)。我们平常关注的处理器、屏幕在不停更新换代，实际上内存也在不断更新换代，只是频率没有那么高，而且厂商宣传更重视存储容量的数值。

对于明年旗舰手机来说，这三个要素不容忽视，他们就是LPDDR5内存、USF 3.0存储和SD Express存储卡。

没错，明年旗舰手机应该普遍会使用6GB RAM以上容量的存储，不过除此之外，LPDDR5似乎也成为了标配。相比现在的LPDDR4x有着更好的性能表现。也许有了解内存的朋友会奇怪，为什么是LPDDR4x而不是LPDDR4，因为对于手机来说后面的x代表了低电压模式，毕竟手机是移动设备，对于电量更敏感，低电压版本有助于节约用电增加整体续航。

而LPDDR5目前还没有x版本，主要因为LPDDR5的功耗进一步控制，电压相较于LPDDR4x未发生变化，意味着即便不用将低电压也有很好的功耗表现。你以为这就结束了么?当然不是，在闲置状态下的电流将减少40%，意味着LPDDR5比上一代产品天生省电。而手机现在整体功耗堪忧，主要是大屏幕消耗更高，所以从其他地方节约是必须的，因此明年旗舰手机没什么理由拒绝LPDDR5内存。

另外从性能方面，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，LPDDR4X的峰值4266Mbps，提升了大约50%左右。同时将引入WCK差分时钟，在不增加引脚的情况下提升频率。还将引入Link ECC，具备从传输错误中恢复数据的能力。

从性能和易用性来看，LPDDR5都是未来旗舰手机的更优选择。

前些年，华为P10手机发布的时候因为“闪存门”事件才算是让部分消费者真正意识到了存储原来还是有去别的，以往消费者只关心存储的容量大小16GB、32GB或者64GB等等，很少有人关心存储的性能和速度，更是少有人了解USF和eMMC存储的区别。

现在很多中低端手机还在使用eMMC存储(应该大多数都是eMMC 5.1版本了)，这种存储价格相比UFS 2.0更便宜，所以能够有效降低成本，不过理论贷款速度最高只有600MB/s，比UFS 2.0的1450MB/s低了很多，写入和读取速度也低了不少。因此现在中高端手机都使用了UFS 2.1版本的存储，有更好的性能体现。

而UFS 2.1版本也只是单通道单向，UFS 3.0则实现了双通道双向，理论带宽达到了23.2Gbps，相比之下有着强大的数字提升，不过对于消费者来说实际使用过程中速度提升没有那么夸张，但依然会有很大提升就是了。

除了性能提升之外，支持的分区也增加了，纠错性能也得到提升。不过考虑到这个标准今年年初才刚刚公布，应市面上还没有什么手机处理器能够完全支持，所以预计要等到明年骁龙855以及之后的处理器出来才可以完全支撑，至少2018年我们很难见到UFS 3.0版本存储的手机了，即便有恐怕也到不到理想的使用体验。

存储速度提升对我们有什么意义呢?其实可以更简单点说，比如我们在VR或者4K、8K视频拍摄的时候，高性能存储有利于我们更流畅的记录视频数据，保证视频录制的效率。尤其是VR视频非常重要，存储速度不够快会有很大的负面影响。

这个规范可以被视作SD7.0版本，他通过整合PCIe 3.0界面及NVMe v1.3传输协定，可以实现最高985MB/s的传送速率，虽然没有UFS存储那么高效率，不过外接存储的价格便宜，有更好的灵活性，可以根据个人的需求选择容量，因此很受到一部分中低端Android平台手机的欢迎，所以一大部分Android手机都支持存储卡拓展，甚至一些手机的存储卡槽可以与SIM卡通用，更是增加了手机便利性。

不过存储卡的速度往往有很大限制，一般来说是不如内置ROM存储速度快的额，但使用了SD Express协议之后的产品，速度还是很可观的，可以实现RAD摄像、连续拍摄和、8K影片拍摄等等，同时可以提升存储的最大支持容量。

预计，未来手机厂商都会逐步向这三项新规范的产品过渡，不仅仅是Android平台，甚至苹果也会如此，不过大家稍安勿躁，今年恐怕很难见到了，明年预计会成为高端的主流。