2nm 研发取得重大突破！台积电迈向 GAA 为什么比三星晚

根据台湾经济日报报道，近日台积电在 2nm 研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管 GAA，这是台积电继从鳍式场效应晶体管 FinFET 技术取得全球领先地位之后，向另一全新的技术节点迈进。

相比于台积电在 2nm 制程才切入 GAA，其竞争对手三星则早在 2 年前其揭露 3nm 技术工艺时，就宣布从 FinFET 转向 GAA。

如果说 FinEFT 是平面式晶体管架构的继承者，那么 GAA 就相当于 FinFET 的改良版。

在 FinEFT 提出之前，根据摩尔定律，芯片的工艺节点制程的极限将是 35nm。为此，美国国防高级研究计划局（DARPA）启动了一个名为 “25nm 开关”的计划，致力于提升芯片容纳晶体管数目的上限，加州大学伯克利分校教授胡正明与其团队加入了这一计划，试图攻破制程难题。

使用平面式晶体管架构最大的障碍在于随着组件尺寸逐渐变小，当晶体管处于 “关闭”状态时，电子容易流过栅极。于是，胡正明团队提出在硅基底上方垂直布设细传导通道，控制电子流动，这一架构的外观如同鱼鳍，故被称之为鳍式场效应晶体管。

1999 年，胡正明团队发布了第一款 45nm 的 FinEFT 晶体管，且性能优良。

胡正明教授预测，该晶体管器件能够使工艺节点继续发展到 20nm 以下，这一预测已经得到验证，并且，依托 FinEFT 技术，芯片工艺节点制程已经发展到 5nm 甚至 3nm。

与此同时，随着工艺节点制程发展到 3nm，晶体管沟道进一步缩短，这时会发生量子遂穿效应。为再一次突破极限，新的工艺技术 GAA-EFT 诞生了。

尽管 GAA 概念的提出要比 FinEFT 早 10 年左右，不过 GAA 相当于 FinEFT 的改进版，在 3nm 工艺节点遇到障碍的三星就已从 FinFET 工艺转入到 GAA，如今台积电也将加入 GAA 的队伍中。无论是三星还是台积电，都将新工艺指向了 GAA。

相比于三星，台积电切入 GAA 工艺较晚，虽然这与台积电本身 FinFET 的巨大成功有一定的关系，但可能更多的原因在于若采用新的工艺，从决定采用到最终实现量产，需要耗费较长的时间周期。

当年第一个采用 FinEFT 工艺并实现量产规模的公司英特尔，就花了十年的时间才量产。相比 FinEFT 而言，GAA 相对上一代工艺的变化并不太大，但从实验室到商业化量产，依然需要一定的周期。

同时，台积电也曾表示，3nm 沿用 FinEFT 技术，主要是考量客户在导入 5nm 制程的设计也能用在 3nm 制程中，无需面临需要重新设计产品的问题，台积电可以保持自身的成本竞争力，获得更多的客户订单。

从这一层面看，在 3nm 采取 FinEFT、在 2nm 才计划切入 GAA 的台积电，或许更能赢得市场青睐。

台积电在 2nm 切入 GAA，同样可能存在资金的考虑。

观察台积电近三年的研发费用，其每年的研发费用占据营收费用的 8%~9%，其营收逐年增加，研发费用也随之增多。

尽管不少人认为，台积电失去华为订单将面临营收风险，但根据台积电官网 7 月 10 日消息，台积电 6 月净收入约为 1208.8 亿元新台币（折合 287.54 亿元人民币），较 2019 年 6 月增长了 40.8%。这是自 1999 年来，台积电月度营收首次超过 1200 亿新台币，创下历史新高。

此次营收大增的主要原因，可能是台积电为苹果 A14 处理器大规模量产，A14 处理器由台积电独家代工，采用的是 5nm 工艺。

就台积电目前在营收上取得的成绩而言，台积电在研发上的投入将持续增多，这也就意味着，台积电将有更多的资金投入到 2nm 技术的研发，持续营收与研发的良性循环。

在同其他企业竞争的过程中，台积电始终保持自己的节奏，做出相对稳妥的决定，此次计划 2nm 导入 GAA，是否会延续台积电在 FinFET 的成功？