IEEE 802.3bt PD 控制器效率高达 99%

时间：2020-08-11 10:36:02

关键字： adi lt4294

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[导读] 加利福尼亚州米尔皮塔斯（MILPITAS， CA）和马萨诸塞州诺伍德（NORWOOD， MA） – 2017 年 5 月 22 日 – 亚德诺半导体（Analog

加利福尼亚州米尔皮塔斯（MILPITAS， CA）和马萨诸塞州诺伍德（NORWOOD， MA） – 2017 年 5 月 22 日 – 亚德诺半导体（Analog Devices， Inc.，简称 ADI）旗下凌力尔特公司（Linear Technology CorporaTIon）推出 IEEE 802.3bt 受电设备（PD）接口控制器 LT4294，该器件适用于需要高达 71W 传送功率的应用。IEEE 802.3bt 这种新的以太网供电（PoE）标准提高了功率预算，以支持新的应用和功能，同时支持 10Gb 以太网（10GBASE-T），并保持与较旧的 IEEE 802.3af 和 802.3at PoE 设备的向后兼容性。当与 LT4321 PoE 理想二极管桥接控制器结合使用时，符合 IEEE 802.3bt 草案 2.3 要求的 LT4294 PD 控制器从 RJ-45 连接器向热插拔输出提供高达 99% 的可用功率，同时支持新推出的功能，包括额外的 PD 类（5、6、7 和 8）、PD 型（Type 3 和 Type 4）以及 5 事件分级。

LT4294 是一款单特征 802.3bt PD 控制器，可与任何高效率开关稳压器结合使用。单特征 PD 无需第二个 PD 控制器，从而降低了系统成本和复杂性。无论使用了隔离式还是非隔离式开关，开关的灵活性都可支持使用现成有售和专有电源解决方案。与集成了功率 MOSFET 的传统 PD 控制器不同，LT4294 控制一个外部 MOSFET，以大幅度地减少 PD 产生的总热量，并最大限度提高电源效率，这在 802.3bt 的较高功率水平时尤其重要。外部 MOSFET 架构允许用户选择 MOSFET 的尺寸以适合应用需求。基于 LT4294 的标准解决方案通常选择低 RDS（ON） 30m? MOSFET。

LT4294 可提供工业和汽车温度级版本，分别支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 的工作温度范围。LT4294 的千片批购价为每片 1.95 美元，已生产供货。LT4294 具集成式开关，对 LT4295 802.3bt PD 接口控制器起到了补充作用，这两款器件都提供了从凌力尔特现有 PoE+ / LTPoE++® PD 控制器（包括 LT4276 和 LT4275 控制器）升级的途径。如需更多信息，请登录。

照片说明：

LTPoE++ 以太网供电 PD 接口控制器

性能概要： LT4294

· IEEE 802.3af/at/bt （草案 2.3）受电（PD）控制器

· 外部热插拔 N 沟道 MOSFET 实现最低功耗和最高系统效率

· 支持高达 71W 的 PD

· 5 事件分级检测

· 卓越的浪涌保护（100V 绝对最大值）

· 很宽的结温范围（–40°C 至 125°C）

· 支持低至 9V 的可配置辅助电源

· 采用 10 引线 MSOP 和 3mm x 3mm DFN 封装

本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。