英特尔推出 10 纳米 SuperFin 技术，性能提升媲美全节点转换

8 月 13 日消息 今晚，英特尔正式推出了 10 纳米 SuperFin 技术，官方称这是该公司有史以来最为强大的单节点内性能增强，带来的性能提升可与全节点转换相媲美。

英特尔表示，经过多年对 FinFET 晶体管技术的改进，英特尔正在重新定义该技术，以实现其历史上最强大的单节点内性能增强。10nm SuperFin 技术拥有以下特点：

增强源极和漏极上晶体结构的外延长度，从而增加应变并减小电阻，以允许更多电流通过通道

改进栅极工艺以实现更高的通道迁移率，从而使电荷载流子更快地移动

提供额外的栅极间距选项可为需要最高性能的芯片功能提供更高的驱动电流

使用新型薄壁阻隔将过孔电阻降低了 30%，从而提升了互连性能表现

与行业标准相比，在同等的占位面积内电容增加了 5 倍，从而减少了电压下降，显著提高了产品性能。该技术由一类新型的 “高 K”（ Hi-K）电介质材料实现，该材料可以堆叠在厚度仅为几埃厚的超薄层中，从而形成重复的 “超晶格”结构。这是一项行业内领先的技术，领先于其他芯片制造商的现有能力。

了解到，10nm SuperFin技术将运用于代号为“Tiger Lake”的英特尔下一代移动处理器中。Tiger Lake正在生产中，OEM的产品将在假日季上市。