无须EUV光刻机，中芯国际N+1代工艺年底试产

华为被禁之后，国产替代成了半导体企业关注的重点。作为中国最大，技术最先进的半导体代工厂家，中芯国际被寄予厚望。

近日有媒体报道称，在大规模量产14nm工艺后，中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段，可望于2021年进入量产。

对此，中芯国际回应称，该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产，第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。

在没有使用EUV光刻机的情况下，中芯国际实现了14nm以下的先进制造工艺，不能不说是一个突破性进展。

据了解，中芯国际目前在国内四个城市拥有多家晶圆厂，分别是上海的8英寸晶圆厂和12英寸晶圆厂，北京亦庄的12英寸晶圆厂一期和二期，天津和深圳各有一座8英寸晶圆厂。

作为一家纯代工企业，中芯国际目前可以向全球客户提供从0.35微米到14纳米工艺的代工生产服务，同时，还可以为客户提供从生产、封装到测试的一体化全方位晶圆代工解决方案。目前，中芯国际的工艺技术主要分为三类：先进逻辑技术(14纳米、在研的N+1代工艺等)、成熟逻辑技术(28nm，40nm ，65nm/55nm ，90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.35μm等），特殊工艺(Analog&Power ，DDIC ，IGBT ，eNVM，NVM，Mixed Signal&RF，MEMS，IoT Solutions，Automotive等）。

21ic家注意到，在中芯国际的先进逻辑技术中，N+1代工艺是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，但并未明确具体数字节点。不过从中芯国际透露的数据来看，其N+1代工艺比14nm工艺性能提升了20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%。N+1代工艺的制程节点正在追赶7nm制程，因为从其芯片面积缩小一半这个数据来看，晶体管的集成度提升了一倍，而台积电从14nm到7nm工艺也就提升了1倍的密度。

按照中芯国际的回应，2020年底小批量试产N+1工艺，那可以预见量产也就不远了，高端晶圆代工的国产替代指日可俟矣！