单片机直接控制MOS的风险分析

时间：2020-10-26 15:08:18

关键字：单片机嵌入式

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]MOS管是电压驱动的元器件，通常被用作较大功率的电子开关，来控制直流负载回路的通断。

MOS管是电压驱动的元器件，通常被用作较大功率的电子开关，来控制直流负载回路的通断。MOS管可以分为NMOS和PMOS，具有三个电极，分别为：1)门极G；2)源极S；3)漏极D。其中门极为控制端，源极S和漏极D为输出端。

MOS管的控制方式

MOS管通过GS之间的电压VGS来控制通断，NMOS和PMOS的控制方式不一样，如下：

NMOS的控制方式

NMOS的VGS > Vth时，NMOS导通，用单片机控制NMOS时，单片机输出高电平可以控制NMOS管的导通，单片机输出低电平时NMOS管关断。控制电路如下图所示。

PMOS的控制方式

PMOS的VGS

单片机直接控制MOS管的应用风险

单片机的供电为5V或者3.3V，而且以3.3V居多，MOS管的Vth一般在(2-5)V，用单片机可以直接控制。对于过电流能力较强大功率MOS管而言，Vth的值可能更大。这时候用单片机就不能直接控制了。

实际上，为了使MOS管更稳定的工作，我们一般会用三极管来控制MOS管，因为三极管是流控型的器件，单片机驱动三极管更为合适。下图是单片机通过三极管控制NMOS的电路图。

单片机输出高电平时，三极管导通，NMOS的G极为低电平，NMOS截止关断；单片机输出低电平时，三极管截止，G极为高电平，NMOS导通。这样可以有效的避免单片机输出的电平无法满足VTH的情况。

免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

阿维塔、赛力斯已入股！华为引望可能成“中国博世”