值得了解的Texas Instruments （TI） 的LMG341xR050氮化镓 （GaN） 功率级

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如氮化镓 (GaN) 功率级。

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能，可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。

AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材料AlGaN的组合。

贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关，实现几乎为零的VDs振铃，其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能，比如图腾柱功率因数校正 (PFC) 结构等密集高效拓扑，让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。

此外，由于GaN / AlGaN HEMT的电子传输特性，与具有相同额定电压的Si功率器件相比，特定的导通电阻几乎低两个数量级。因此，GaN器件同时实现高击穿电压和高电流水平，并具有小的半导体区域。这另外转化为高功率水平下的高开关频率。

LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能，不需要外部保护元件，即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性，并且所有电源轨都具有欠压锁定 (UVLO) 保护。此外，LMG341xR050还可提供响应时间低于100 ns的过流保护和高于150 V/ns的压摆率抗扰性。

本文只能带领大家对氮化镓 (GaN) 功率级有了初步的了解，对大家入门会有一定的帮助，同时需要不断总结，这样才能提高专业技能，也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。