当前位置:首页 > 技术学院 > 技术解析
[导读]可测试仪性能稳定,能自动读出准确数据,使用方便,适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。它可测各种二极管,三极管,可控硅,MOS场效应管;能判断器件类型,引脚的极性,输出HFE,阀电压,场效应管的结电容,附加条件可测电容和电阻等。特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。

一、晶体管测试仪作用

可测试仪性能稳定,能自动读出准确数据,使用方便,适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。它可测各种二极管,三极管,可控硅,MOS场效应管;能判断器件类型,引脚的极性,输出HFE,阀电压,场效应管的结电容,附加条件可测电容和电阻等。特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。

二、什么是晶体管测量仪器?

众所周知,晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础,以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管(NPN型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压,还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。

下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。

三、XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍

XJ4810型晶体管特性图示仪面板示:

1. 集电极电源极性按钮,极性可按面板指示选择。

2. 集电极峰值电压保险丝:1.5A。

3. 峰值电压%:峰值电压可在0~10V、0~50V、0~100V、0~500V之连续可调,面板上的标称值是近似值,参考用。

4. 功耗限制电阻:它是串联在被测管的集电极电路中,限制超过功耗,亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。

5. 峰值电压范围:分0~10V/5A、0~50V/1A、0~100V/0.5A、0~500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时,须先将峰值电压调到零值,换挡后再按需要的电压逐渐增加,否则容易击穿被测晶体管。

AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描,以便能同时显示器件正反向的特性曲线。

6. 电容平衡:由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容,都将形成电容性电流,因而在电流取样电阻上产生电压降,造成测量误差。为了尽量减小电容性电流,测试前应调节电容平衡,使容性电流减至最小。

7. 辅助电容平衡:是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称,而再次进行电容平衡调节。

8. 电源开关及辉度调节:旋钮拉出,接通仪器电源,旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。

9. 电源指示:接通电源时灯亮。

10. 聚焦旋钮:调节旋钮可使光迹最清晰。

11. 荧光屏幕:示波管屏幕,外有座标刻度片。

12. 辅助聚焦:与聚焦旋钮配合使用。

13. Y轴选择(电流/度)开关:具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。

14. 电流/度&TImes;0.1倍率指示灯:灯亮时,仪器进入电流/度&TImes;0.1倍工作状态。

15. 垂直移位及电流/度倍率开关:调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出,放大器增益扩大10倍,电流/度各挡IC标值&TImes;0.1,同时指示灯14亮。

16. Y轴增益:校正Y轴增益。

17. X轴增益:校正X轴增益。

18.显示开关:分转换、接地、校准三挡,其作用是:

⑴转换:使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换,便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。

⑵接地:放大器输入接地,表示输入为零的基准点。

⑶校准:按下校准键,光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度,以达到10度校正目的。

19. X轴移位:调节光迹在水平方向的移位。

20. X轴选择(电压/度)开关:可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换,共17挡。

21. “级/簇”调节:在0~10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。

22. 调零旋钮 :测试前,应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后,按下测试台上选择按键“零电压”,观察光点停留在荧光屏上的位置,复位后调节零旋钮,使阶梯信号的起始级光点仍在该处,这样阶梯信号的零电位即被准确校正。

23. 阶梯信号选择开关:可以调节每级电流大小注入被测管的基极,作为测试各种特性曲线的基极信号源,共22挡。一般选用基极电流/级,当测试场效应管时选用基极源电压/级。

24. 串联电阻开关:当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时,串联电阻将串联在被测管的输入电路中。

25. 重复--关按键:弹出为重复,阶梯信号重复出现;按下为关,阶梯信号处于待触发状态。

26. 阶梯信号待触发指示灯:重复按键按下时灯亮,阶梯信号进入待触发状态。

27. 单簇按键开关:单簇的按动其作用是使预先调整好的电压(电流)/级,出现一次阶梯信号后回到等待触发位置,因此可利用它瞬间作用的特性来观察被测管的各种极限特性。

28. 极性按键:极性的选择取决于被测管的特性。

29. 测试台。

30. 测试选择按键:

⑴“左”、“右”、“二簇”:可以在测试时任选左右两个被测管的特性,当置于“二簇”时,即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线,此时“级/簇”应置适当位置,以利于观察。二簇特性曲线比较时,请不要误按单簇按键。

⑵“零电压”键:按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置,见(22)项。

⑶“零电流”键:按下此键时被测管的基极处于开路状态,即能测量ICEO特性。

31、32. 左右测试插孔:插上专用插座(随机附件),可测试F1、F2型管座的功率晶体管。

33、34、35.晶体管测试插座。

36. 二极管反向漏电流专用插孔(接地端)。

37. 二簇移位旋钮:在二簇显示时,可改变右簇曲线的位置,更方便于配对晶体管各种参数的比较。

38. Y轴信号输入:Y轴选择开关置外接时,Y轴信号由此插座输入。

39. X轴信号输入:X轴选择开关置外接时,X轴信号由此插座输入。

40. 校准信号输出端:1V、0.5V校准信号由此二孔输出。

四、测试前注意事项

为保证仪器的合理使用,既不损坏被测晶体管,也不损坏仪器内部线路,在使用仪器前应注意下列事项:

1. 对被测管的主要直流参数应有一个大概的了解和估计,特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率PCM、最大允许电流ICM和击穿电压BVEBO、BVCBO 。

2. 选择好扫描和阶梯信号的极性,以适应不同管型和测试项目的需要。

3. 根据所测参数或被测管允许的集电极电压,选择合适的扫描电压范围。一般情况下,应先将峰值电压调至零,更改扫描电压范围时,也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻,测试反向特性时,功耗电阻要选大一些,同时将X、Y偏转开关置于合适挡位。测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。

4. 对被测管进行必要的估算,以选择合适的阶梯电流或阶梯电压,一般宜先小一点,再根据需要逐步加大。测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。

5. 在进行ICM的测试时,一般采用单簇为宜,以免损坏被测管。

6. 在进行IC或ICM的测试中,应根据集电极电压的实际情况选择,不应超过本仪器规定的最大电流。

7. 进行高压测试时,应特别注意安全,电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕,应及时将峰值电压调到零。

五、基本操作步骤

1. 按下电源开关,指示灯亮,预热15分钟后,即可进行测试。

2. 调节辉度、聚焦及辅助聚焦,使光点清晰。

3. 将峰值电压旋钮调至零,峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。

4. 对X、Y轴放大器进行10度校准。

5. 调节阶梯调零。

6. 选择需要的基极阶梯信号,将极性、串联电阻置于合适挡位,调节级/簇旋钮,使阶梯信号为10级/簇,阶梯信号置重复位置。

7. 插上被测晶体管,缓慢地增大峰值电压,荧光屏上即有曲线显示。

六、测试实例

1. 晶体管hFE和β值的测量

以NPN型3DK2晶体管为例,查手册得知3DK2 hFE的测试条件为VCE =1V、IC=10mA。将光点移至荧光屏的左下角作座表零点。

2.晶体管反向电流的测试

以NPN型3DK2晶体管为例,查手册得知3DK2 ICBO、ICEO的测试条件为VCB、VCE均为10V。测试时,仪器部件的置位详见表A-5。

逐渐调高“峰值电压”使X轴VCB=10V,读出Y轴的偏移量,即为被测值。

PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相同。可按测试条件,适当改变挡位,并把集电极扫描电压极性改为“—”,把光点调到荧光屏的右下角(阶梯极性为“+”时)或右上角(阶梯极性为“—”时)即可。

3.晶体管击穿电压的测试

以NPN型3DK2晶体管为例,查手册得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的测试条件IC分别为100μA、200μA和100μA。

逐步调高“峰值电压”,被测管的接法,Y轴IC=0.1mA时,X轴的偏移量为BVCEO值;被测管按图A-30(b)的接法,Y轴IC=0.2m A时,X轴的偏移量为BVCEO值;被测管按图A-30(c)的接法,Y轴IC=0.1mA时,X轴的偏移量为BVEBO值。

PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试法相似。

4.稳压二极管的测试

以2CW19稳压二极管为例,查手册得知2CW19稳定电压的测试条件IR=3mA。测试时。

逐渐加大“峰值电压”,即可在荧光屏上看到被测管的特性曲线。

读数:正向压降约0.7V,稳定电压约12.5V。

5.整流二极管反向漏电电流的测试

以2DP5C整流二极管为例,查手册得知2DP5的反向电流应≤500nA。。

逐渐增大“峰值电压”,在荧光屏上即可显示被测管反向漏电电流特性。

读数:IR=4div&TImes;0.2μA×0.1(倍率)=80 nA

测量结果表明,被测管性能符合要求。

七、晶体管测试仪使用注意事项

①使用仪器前,应检查仪器有关旋钮位置, “测试选择”  开关置于“关”, “峰值电压”旋钮调至零, “阶梯作用”置于“关”。

②开启电源,指示灯亮,预热5min。调整“标尺亮度”,观察时用红色标尺,摄影时用黄色标尺。调整“辉度”,使屏幕上光点和线条至适中的亮度。调整“聚焦”及“辅助聚焦”  旋钮,使屏幕上显示清晰的线条或亮点。

③进行基极阶梯信号调零。将光点移至屏幕左下角作为坐标零点,进行基极阶梯信号调零。当荧光屏上出现基极阶梯信号后,按下测试台上的“零电压”键,观察光点停留在荧光屏上的位置。复位后调节“阶梯调零”旋钮,使阶梯信号的起始级光点仍在该处,则基极阶梯信号的零位即被校准。

④根据被测管的类型(PNP型或NPN型)和接地形式(E接地或B接地),选择“极性”开关位置,然后插上被测晶体管。

⑤根据需要显示的醢线和需要测试的参数,选择相应的作用开关以及合适的量程,即可进行有关图形显示和参数测定。

大家都知道晶体管测量仪是各种家电维修的利器 电桥万用表级别好工具,维修时候经常判断已知损坏元件后 在更换新元件的同时 还不能解决故障 很多维修人员苦恼不堪,用这种仪器可以轻松判断电容 电阻 等元件 品质等 自动检测三极管 NPN PNP 晶体管 N P 沟道场效应管,可控硅自动显示在显示屏上以及放大倍数,在应用的过程中,你喜欢用哪款晶体管测量仪器呢?

【更多关于晶体管测量仪阅读】

DIY制作晶体管测量仪(ESR)电路、PCB、程序.zip

电子测量仪器类型及其应用

晶体管测量电路e

晶体管测量电路d

晶体管测量电路c

晶体管测量电路b

元件耐压测量电路

晶体管测量电路a

晶体管特性原理与使用.rar

晶体管图示,现在还都是电子管做的吗?

晶体管耐压测量电路d

新型晶体管特性图示扫描信号发生器电路设计

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

9月2日消息,不造车的华为或将催生出更大的独角兽公司,随着阿维塔和赛力斯的入局,华为引望愈发显得引人瞩目。

关键字: 阿维塔 塞力斯 华为

加利福尼亚州圣克拉拉县2024年8月30日 /美通社/ -- 数字化转型技术解决方案公司Trianz今天宣布,该公司与Amazon Web Services (AWS)签订了...

关键字: AWS AN BSP 数字化

伦敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英国汽车技术公司SODA.Auto推出其旗舰产品SODA V,这是全球首款涵盖汽车工程师从创意到认证的所有需求的工具,可用于创建软件定义汽车。 SODA V工具的开发耗时1.5...

关键字: 汽车 人工智能 智能驱动 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越来越多用户希望企业业务能7×24不间断运行,同时企业却面临越来越多业务中断的风险,如企业系统复杂性的增加,频繁的功能更新和发布等。如何确保业务连续性,提升韧性,成...

关键字: 亚马逊 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,据媒体报道,腾讯和网易近期正在缩减他们对日本游戏市场的投资。

关键字: 腾讯 编码器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中国国际大数据产业博览会开幕式在贵阳举行,华为董事、质量流程IT总裁陶景文发表了演讲。

关键字: 华为 12nm EDA 半导体

8月28日消息,在2024中国国际大数据产业博览会上,华为常务董事、华为云CEO张平安发表演讲称,数字世界的话语权最终是由生态的繁荣决定的。

关键字: 华为 12nm 手机 卫星通信

要点: 有效应对环境变化,经营业绩稳中有升 落实提质增效举措,毛利润率延续升势 战略布局成效显著,战新业务引领增长 以科技创新为引领,提升企业核心竞争力 坚持高质量发展策略,塑强核心竞争优势...

关键字: 通信 BSP 电信运营商 数字经济

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央广播电视总台与中国电影电视技术学会联合牵头组建的NVI技术创新联盟在BIRTV2024超高清全产业链发展研讨会上宣布正式成立。 活动现场 NVI技术创新联...

关键字: VI 传输协议 音频 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日举办的2024年长三角生态绿色一体化发展示范区联合招商会上,软通动力信息技术(集团)股份有限公司(以下简称"软通动力")与长三角投资(上海)有限...

关键字: BSP 信息技术
关闭
关闭