1nm时代的EUV光刻机长啥样？ASML已完成基本设计

本月中旬，在日本东京举办了ITF论坛上，与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。

从IMEC公布的细节中可以看出，目前而言，ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划。

据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计(即NXE：5000系列)，预计在2022年实现商业化。

报告中还指出，，1nm时代的光刻机体积将比现有产品增大很多。这其中主要是因为光学器件增大导致的，另外，洁净室指标也达到了天花板。

21IC家注意到，作为EUV光刻机的全球唯一供应商，阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D计划明年年中出货，生产效率将提升18%。