传长江存储计划2021年产量提高一倍，官方回应来了！

1月12日，据《日经亚洲评论》援引知情人士消息称，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）计划在2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，达到每月10万片晶圆的产能，约占全球总产量的7%。

据悉，作为全球第一家量产3D架构NAND型快闪存储器的厂商，韩国三星电子的月产量为48万片晶圆；而美国存储器巨头美光的月产量为18万片晶圆。长江存储的产量提高一倍，将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。

该报道还指出，长江存储除了计划增产之外，也在加快技术开发进程。

据知情人士透露，长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过，因为先进工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到下半年。

（长江存储推出的128层QLC闪存）

值得一提的是，该报道指出，长江存储已经撼动了全球NAND闪存市场。当英特尔在2020年将旗下的NAND闪存业务出售给SK海力士的时候，一些市场观察人士认为，此举是这家美国芯片制造商为了避免可能来自长江存储的激烈竞争所做出的决定。除此之外，长江存储还是中国建立自主半导体产业链的重要推动力。

对此消息，长江存储1月13日发布声明回应称，近日发现个别境外媒体通过多种渠道刊登、散布关于我司产能建设、产品销售等不实言论；关于下一步建设计划具体情况，请以公司官方渠道为准。

（长江存储发布的声明公告）

根据官网介绍，长江存储成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储致力于为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片，以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前，长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。