元素半导体、化合物半导体、本征半导体你都了解吗?

在下述的内容中，小编将会对元素半导体、化合物半导体、本征半导体的相关消息予以报道，如果半导体是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

一、元素半导体介绍

元素半导体(element semiconductor)是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)、灰-锡(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-锑(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。

硅在半导体工业中获得最广泛的应用，这在很大程度上得益于二氧化硅的特殊性质。首先，二氧化硅薄膜层能够有效地掩蔽大多数重要的受主和施主杂质的扩散，从而为器件制造工艺中的选择扩散提供了最理想的掩膜，使器件的集合图形可以得到精确的控制;其次，有氧化膜的硅表面比自由表面有更好的电特性，因而硅器件比较容易解决表面的钝化问题，容易使器件特性获得良好的重复性和稳定性;此外，由于二氧化硅是一种性能很稳定的绝缘体，将它夹在硅与金属之间构成的金属一氧化物一半导体结构。是MOS型场效应晶体管的基础，这是一种只利用多数载流子工作的单极性器件。由于化合物半导体材料的氧化物在性质上都存在着一些尚难克服的短处，硅MOSFET是目前唯一能够普遍应用的MOS器件。

二、化合物半导体介绍

在看完什么是元素半导体之后，我们再来看看化合物半导体是什么?

通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物(如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。主要是二元化合物如：砷化镓、磷化铟、硫化镉、碲化铋、氧化亚铜等，其次是二元和多元化合物，如镓铝砷、铟镓砷磷、磷砷化镓、硒铟化铜及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔体生长单晶的一种方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制备化合物半导体单晶，用外延法、化学气相沉积法等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。用于制备光电子器件、超高速微电子器件和微波器件等方面。

三、本征半导体介绍

在看完什么是化合物半导体之后，我们再来看看本征半导体是什么?

纯净的半导体称为本征半导体，在本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现的,称为电子-空穴对。因此自由电子和空穴两种载流子的浓度是相等的。由于物质运动,半导体中的电子-空穴对不断产生,同时也不断会有电子填补空穴,使电子-空穴对消失,达到动态平衡时会有确定的电子-空穴对浓度。常温下,载流子很少,导电能力很弱。当温度升高或光照增强时,激发出的电子-空穴对数目增加,半导体的导电性能将增强。利用本征半导体的这种特性,可以制成热敏器件和光敏器件,例如热敏电阻和光敏电阻等,其阻值可以随温度的高低和光照射的强弱而变化。

以上就是小编这次想要和大家分享的有关元素半导体、化合物半导体、本征半导体的内容，希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章，可以在网页顶部选择相应的频道哦。