全球内存价格暴涨，国产芯片能否实现弯道超车？

长期以来，中国在芯片市场缺少话语权和定价权，这导致国内一直被海外国际大厂垄断。虽然我国已经在尽力追赶，但技术上仍然与国际大厂有不小的差距。

国内厂商由于仍处于起步阶段，存储器的研发能否成功，未来几年将是关键期;研发成功后，良率能否提升到较高水平，成本控制是否能够达到预期，知识产权能否做到有效保护等，仍然有一定的不确定性;从研发成功至量产并形成销售，仍然需要长达几年时间。

存储器是半导体行业的重要分支，在经历了2015和2016年的持续走低后，2017年，全球存储器市场迎来了爆发，增长率达到60%，销售额超过1200亿美元，占全球半导体市场总值的30.1%。

20年下半年以来，全球汽车行业遭到芯片短缺的严重影响，不少一二线车企的部分工厂都已经因为“无芯可用”而被迫停工停产。

令人意想不到的是，汽车行业的缺芯现象已经逐渐蔓延至智能手机行业以及游戏机行业。全球芯片短缺的状况在2021年或将持续存在。

从去年底开始，DRAM内存市场价格下滑趋势已经止住了，在停电、火灾等意外因素影响下开始涨价，2021年全球内存涨价已经是定局。截止2月3日，8GB DDR4内存颗粒的报价来到3.93美元。要知道，在2020年8月，相关产品的报价仅为2.54美元。这短短六个月的时间，价格涨幅就达到54.7%。威刚DDR4-3200 16GB单条，去年11月是399元，截稿前已经涨到了569元。实际上，按照华邦电子的说法，DRAM和闪存价格的上扬将有助于公司在3、4月份实现营收增长。

内存接口芯片集成于DRAM内存模组(存储介质)中，是服务器内存模组的核心逻辑器件，其主要作用是提升内存数据访问的速度和稳定性，以匹配CPU日益提高的运行速度和性能。内存接口芯片具有较高的技术门槛，认证过程严格，尤以CPU厂商认证最为关键，按功能划分，内存接口芯片主要分为：寄存缓冲器(RCD)、数据缓冲器(DB)、内存缓冲器(MB/AMB)三类。

DDR是21世纪初主流内存规范，内存接口芯片技术经历了DDR2、DDR3、DDR4世代，目前DDR4内存技术处于成熟期，随着内存接口芯片的不断升级，内存技术逐渐由DDR4向DDR5升级迭代，相比于前一代内存接口芯片，DDR5可以支持更低电压工作环境及更高的运行速率。

其实，全球半导体目前正经历着大缺货，雪上加霜的是，美国得州遭遇重大自然灾害，日本福岛发生7.3级地震，导致部分半导体厂商暂时停产，比如三星的S2晶圆厂。

由于市场供不应求、供需状况得到控制，再加上智能手机、服务器市场的迅速增长，2020年的内存行业还是十分赚钱的内存行业的寡头现象也是越来越明显，前五大厂商拿走了81%毛利润，前十大厂商则占了总收入的92%。但这对于国产芯片而言，却是一个不可多得的机遇。

在全球内存版图中，三星、SK海力士及美光是三大巨头，合计占据全球95%以上的产能，其他厂商的份额非常小，后来的竞争者面临着强大的压力。

相比三星等厂商进军第三代、第四代10nm级内存工艺(1Znm之后)，国产内存的19nm工艺还是第一代的，好在合肥长鑫之前已经表态会攻克17nm工艺，达到第二代10nm级工艺的水平，同时还会推出DDR5、LPDDR5等新标准内存。

以内存芯片为例。时至今日，三星等头部厂商已经在进军第三代、第四代(10nm级别)内存工艺。反观国产内存芯片的工艺依然停留在19nm，而且还是第一代。

对国产厂商来说，2021年内存涨价是个极好的机遇，但面临的挑战也不少，主要来自于技术及产能上的。近年来，中国芯片产业的崛起之势全球有目共睹。由于美国芯片出口的规则改变，全球芯片出口格局也在发生重大变化。为此，中国也在加快步伐，试图尽快实现芯片国产化，其中最为典型的就是中科院，该院上周已经宣布，要将光刻机等关键设备列入科研清单。最后也希望属于我们自己的光刻机早日可以研发出来，制造出属于我们自己的核心芯片，不再受外国力量的制裁和牵制。