意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET

中国，2021年3月22日——STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。

STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入引脚，让设计人员可以定义栅极驱动信号的极性。

STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。4A吸电流/拉电流驱动能力使其适用于高端家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机、UPS不间断电源等设备的高功率变换器、电源和逆变器。

新产品有两种不同的输出配置。第一种配置是提供独立的输出引脚，可使用专用的栅极电阻独立优化通断时间。第二种配置适用于高频硬开关，只有一个输出引脚和有源米勒钳位电路，米勒钳位用于限制SiC MOSFET栅极-源极电压摆动，防止开关不必要导通，并增强开关的可靠性。输入电路兼容最低3.3V的CMOS/TTL逻辑电平信号，可以轻松地连接各种控制器芯片。

STGAP2SiCS具有待机模式，有助于降低系统功耗，并具有内部保护功能，包括可防止低压部分和高压驱动通道交叉导通的硬件互锁和热关断。低高压电路之间的传播延迟精确匹配，防止周期失真，最大程度地减少电能损耗。总传播延迟小于75ns，精确的脉宽调制(PWM)控制支持高开关频率。

STGAP2SiCS采用宽体SO-8W封装，在有限的面积内确保8mm的爬电距离。