SK海力士CEO官宣：未来十年加大研发10nm以下芯片工艺

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SK hynix。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

2019年9月5日，据韩国《中央日报》报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。

3月25，据国外媒体报道，SK海力士是全球重要的存储芯片制造商，他们在去年10月份同英特尔达成了协议，将以90亿美元收购英特尔大部分的NAND闪存及存储业务，收购之后就将超过日本的Kioxia，成为仅次于三星的全球第二大NAND闪存制造商，并会缩小与三星的差距。

全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示，数据中心作为几乎所有在线服务的基础设施，其数量将在未来四年增加一倍，成为半导体需求下一次大幅飙升的主因。

SK海力士 CEO 李世熙(Lee Seok-hee)周日在一个行业论坛中表示，在5G网络、人工智能和自动驾驶汽车等新技术的刺激下，数据和带宽消耗将呈指数级增长;到2025年，超大规模数据中心的数量将翻一番，达到1060个，为社交媒体、在线游戏、智能农业和互联工厂等各个领域提供基础设施和分布系统。

疫情之下，半导体的重要性得到前所未有的凸显。首先是家用电器的需求涌起热潮，随后各个细分市场的反弹速度超过预期，汽车芯片的销量也随之增加。

在报道中，韩国媒体表示，研发10nm以下工艺的DRAM，要求SK海力士等半导体厂商，克服光刻技术方面的挑战。在NAND方面，SK海力士已经研发出了176层堆叠的3D NAND。

除了通过收购扩大规模、获得知识产权及研发人员，SK海力士也在致力于研发更先进的DRAM和NAND产品。

韩国媒体的报道显示，在2021年IEEE(电气电子工程师学会)国际可靠性物理研讨会上发表演讲时，SK海力士CEO李锡熙(Lee Seok-Hee)就表示，在未来十年，他们将致力于克服材料、结构和可靠性方面的挑战，开发10nm以下工艺的DRAM和600堆叠层的NAND。

目前，海力士在DRAM存储器供应上仅次于三星电子,为使NAND业务不断增长，已豪掷90亿美元收购英特尔的存储部门。李锡熙表示，收购英特尔的闪存业务将让公司的收入结构更加平衡，目前内存业务占比72%，闪存业务收入占比24%

收购英特尔的闪存业务后，韩国存储器巨头SK海力士预计其闪存收入将在五年内达到收购前的三倍。11月4日，SK海力士(660.KS)首席执行官李锡熙(Seok-Hee Lee)在其财报沟通会上做出上述表示。“收购后，我们会尽力成为最好的存储器玩家，而不仅仅是内存领域的领袖”，李锡熙说。他表示，公司将在未来三年着力于闪存业务的自我可持续能力。

两周前，英特尔宣布把存储业务以90亿美元的价格出售给SK海力士，包括英特尔的NAND(非易失性存储)固态硬盘业务、NAND组件和晶圆业务，以及位于中国大连的NAND闪存生产基地。双方预计，交易将在2025年彻底完结。

上述收购完成后，SK海力士在闪存市场的市占率将达到两成以上，排在龙头三星之后。此外，海力士计划五年内从荷兰供应商ASML处购买4.75万亿韩元的极紫外光刻机。EUV光刻技术将帮助公司开发更先进的芯片制造方法。

按照李锡熙的预测，先是CPU和内存之间的通道数增加， 使得接近内存处理器速度增加，然后是内存处理速度增加，最终，内存开始承担部分计算任务，和CPU整合到一颗芯片中。由于SK海力士不生产CPU，那么到底是谁取代谁呢?李锡熙话锋一转，回应称需要的是跨行业合作。

此外，SK海力士还对核心业务DRAM和NAND芯片做了单独描摹，称正在积极使用EUV光刻技术，并客服材料、结构、可靠性方面的诸多挑战，在未来10年内大规模量产10nm级DRAM(1a nm、1b nm、1c nm……)、600层的3D闪存等。对此，大家怎么看呢？