STM32L0芯片FLASH编程示例及提醒
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来源 | 茶花MCU
这里就STM32L053芯片的FLASH编程做个简单演示并做些提醒,以供有需要的人参考。 一般来讲,FLASH编程主要包括擦除、代码编程、Option字修改操作,关于Option编程下面不做介绍。STM32L0芯片的擦除除了支持全片擦除外,再就是支持页擦除,每页的大小为128Bytes,即32个字。编程可以按字或按半页【64Bytes】编程。
单页擦除、单字编程以及半页编程的时间都是一样的,大概3.2ms左右,这点在芯片数据手册上也明确出来了。
下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。
这里我先以字编程模式写5个字,然后以半页编程模式对5个半页进行FLASH编程,并记录二者所花的时间,看看字编程时间跟半页编程的是否一致。
另外,在完成5个半页编程之后,又进行了页擦除操作,擦除刚才已编程的5个半页中的1页,即最后应只剩下3个半页的内容【注:对于STM32L0系列芯片,内部FLASH被擦除后内容为全0】。
下面代码截图是基于STM32Cube库来组织的,主要涉及到字编程、半页编程、页擦除三个操作,对应着绿色下划线的3个库函数。
另外,Period1和Period2分别来存放写5个字和5个半页的编程时间,并放在指定的FLASH位置。
编译运行后我们可以看到如下结果:
上面截图是经过运行后芯片内部的部分FLASH空间的内容。5个红色方框围住的数据乃5个字编程后的结果,蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果,但最终只看到3个半页的编程内容,那是因为后面两个半页的内容经页擦除操作后而消失了。
用来统计编程时间的定时器的计数频率为1MHz,显然Period1和Period2基本是相等的,将它们再除以5后所得编程时间都是3.3ms的样子。显而易见,进行批量代码编程时采用半页编程更高效。
前面说了做半页编程时其执行代码需放到RAM运行,该代码在STM32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操作对于不同的IDE在处理上稍有差异。这里基于ARM MDK进行简单配置,划分点RAM出来给它用。
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