当前位置:首页 > 芯闻号 > 技术解析
[导读]为增进大家对光耦的了解,本文将详细介绍光耦的技术参数。

在各种电路中,光耦得到了广泛的应用。原因在于,光耦能够通过光来传输电信号。上篇文章中,小编介绍了光耦的分类以及使用原则。为增进大家对光耦的了解,本文将详细介绍光耦的技术参数。如果你对光耦具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。

一、输入特性

光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有:

1. 正向工作电压Vf(Forward Voltage)Vf是指在给定的工作电流下,LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压,当然不同的LED,测试条件和测试结果也会不一样。

2. 反向电压Vr(Reverse Voltage )

是指LED所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时,要特别注意不要超过反向电压。

3. 反向电流Ir(Reverse Current)

通常指在最大反向电压情况下,流过LED的反向电流。

4. 允许功耗Pd(Maximum Power Dissipation)

LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗,可能会损坏LED。

5. 中心波长λp(Peak Wave Length)

是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色,对于双色或多色LED,会有几个不同的中心波长值。

6. 正向工作电流If(Forward Current)

If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED,其允许流过的最大电流也会不一样。

7. 正向脉冲工作电流Ifp(Peak Forward Current)

Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命,通常会采用脉冲形式来驱动LED,通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

二、输出特性

光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性,与普通的三极管类似。常见的参数有:

1. 集电极电流Ic(Collector Current)

光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值

2. 集电极-发射极电压Vceo(C-E Voltage)

集电极-发射极所能承受的电压。

3. 发射极-集电极电压Veco(E-C Voltage)

发射极-集电极所能承受的电压

4. 反向截止电流Iceo

5. C-E饱和电压Vce(sat)(C-E SaturaTIon Voltage)

三、传输特性

1.电流传输比CTR(Current Transfer Radio)

2.上升时间Tr (Rise TIme)& 下降时间Tf(Fall TIme)

其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。

四、隔离特性

1.入出间隔离电压Vio(IsolaTIon Voltage)

光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

2.入出间隔离电容Cio(Isolation Capacitance):

光耦合器件输入端和输出端之间的电容值

3.入出间隔离电阻Rio:(Isolation Resistance)

半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。

以下为光电耦合器的常用参数:

反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。

反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。

正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。

正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。

输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。

电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr,下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。

传输延迟时间tPHL,tPLH:从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

以上便是此次小编带来的“光耦”相关内容,通过本文,希望大家对光耦的技术参数具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

9月2日消息,不造车的华为或将催生出更大的独角兽公司,随着阿维塔和赛力斯的入局,华为引望愈发显得引人瞩目。

关键字: 阿维塔 塞力斯 华为

加利福尼亚州圣克拉拉县2024年8月30日 /美通社/ -- 数字化转型技术解决方案公司Trianz今天宣布,该公司与Amazon Web Services (AWS)签订了...

关键字: AWS AN BSP 数字化

伦敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英国汽车技术公司SODA.Auto推出其旗舰产品SODA V,这是全球首款涵盖汽车工程师从创意到认证的所有需求的工具,可用于创建软件定义汽车。 SODA V工具的开发耗时1.5...

关键字: 汽车 人工智能 智能驱动 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越来越多用户希望企业业务能7×24不间断运行,同时企业却面临越来越多业务中断的风险,如企业系统复杂性的增加,频繁的功能更新和发布等。如何确保业务连续性,提升韧性,成...

关键字: 亚马逊 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,据媒体报道,腾讯和网易近期正在缩减他们对日本游戏市场的投资。

关键字: 腾讯 编码器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中国国际大数据产业博览会开幕式在贵阳举行,华为董事、质量流程IT总裁陶景文发表了演讲。

关键字: 华为 12nm EDA 半导体

8月28日消息,在2024中国国际大数据产业博览会上,华为常务董事、华为云CEO张平安发表演讲称,数字世界的话语权最终是由生态的繁荣决定的。

关键字: 华为 12nm 手机 卫星通信

要点: 有效应对环境变化,经营业绩稳中有升 落实提质增效举措,毛利润率延续升势 战略布局成效显著,战新业务引领增长 以科技创新为引领,提升企业核心竞争力 坚持高质量发展策略,塑强核心竞争优势...

关键字: 通信 BSP 电信运营商 数字经济

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央广播电视总台与中国电影电视技术学会联合牵头组建的NVI技术创新联盟在BIRTV2024超高清全产业链发展研讨会上宣布正式成立。 活动现场 NVI技术创新联...

关键字: VI 传输协议 音频 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日举办的2024年长三角生态绿色一体化发展示范区联合招商会上,软通动力信息技术(集团)股份有限公司(以下简称"软通动力")与长三角投资(上海)有限...

关键字: BSP 信息技术
关闭
关闭