全球首颗2nm EUV芯片面世

日前，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。

核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管）为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。

换言之，在150平方毫米也就是指甲盖大小面积内，就能容纳500亿颗晶体管。同时，IBM表示，在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45%，输出同样性能则减少75%的功耗。

实际上，IBM此前也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）芯片的厂商，在电压等指标的定义上很早就拿下主导权。

回到此次的2nm上，采用的是GAA（环绕栅极晶体管）技术，三层。IBM介绍，这是第一次使用底介电隔离通道，它可以实现12 nm的栅长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。

需要注意的是，IBM并没有自己的晶圆厂，2014年其制造工厂卖给了格芯，但两者签署了10年合作协议，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。

关于GAA晶体管技术，三星3nm、Intel 5nm以及台积电2nm均将首次采用。