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一直以来,开关稳压器都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来MPS MPQ2420A开关稳压器的相关介绍,详细内容请看下文。
一、MPQ2420A 开关稳压器概述
MPQ2420A 是一款集成了高端和低端高压功率 MOSFET 的降压开关调节器。它可以提供高达 0.3A 的高效输出。集成监控器增加了系统的额外安全冗余功能。
4.5V 至 75V 的宽输入范围使其适合汽车环境中的各种降压应用。全温下 5μA 的关断模式静态电流非常适合电池供电应用。在轻载条件下,可通过降低开关频率在宽负载范围内实现高转换效率,以减少开关和栅极驱动器损耗。也可以降低启动开关频率和短路电流以防止电感电流跑飞。全方位保护功能包括欠压锁定保护(UVLO)和过温关断保护。过温关断保护确保了工作的稳定性和可靠性。
MPQ2420A 采用 TSSOP-16 EP 封装。
二、MPQ2420A 开关稳压器详述
MPQ2420A 是一款 75V、0.3A、同步、降压开关稳压器,具有集成的高侧和低侧高压功率 MOSFET(分别为 HS-FET 和 LS-FET)。 它提供高效的 0.3A 输出,并具有宽输入电压范围、外部软启动控制和精确的电流限制。 它具有非常低的工作静态电流,使其适用于电池供电的应用。
(一)控制方案
ILIM 比较器、FB 比较器和零电流检测器 (ZCD) 块控制 PWM。 如果 VFB 低于 1V 参考电压且电感器电流降至零,则 HSFET 导通,ILIM 比较器开始检测 HS-FET 电流。 当 HS-FET 电流达到其极限时,HS-FET 关闭,LS-FET 和 ZCD 模块开启。 ILIM 比较器关闭以降低静态电流。 LS-FET 和 ZCD 模块在电感电流降至零后关闭。 如果 VFB 低于 1V 参考电压,HS-FET 将打开并开始另一个周期。 如果 VFB 保持高于 1V 参考电压,HS-FET 将保持关闭,直到 VFB 降至 1V 以下。
(二)内部调节器和 BIAS
2.6V 内部稳压器为大部分内部电路供电。 该稳压器采用 VIN 并在整个 VIN 范围内运行。 当 VIN 大于 3.0V 时,稳压器的输出处于全稳压状态。 较低的 VIN 值会导致较低的输出电压。 当 VBIAS > 2.9V 时,BIAS 电源会覆盖输入电压并为内部稳压器供电。 当 VBIAS > 4.5V 时,BIAS 为 LS-FET 驱动器供电。 使用 BIAS 为内部稳压器供电可提高效率。 当稳压输出电压在 2.9V 至 5.5V 范围内时,建议将 BIAS 连接到稳压输出电压。 当输出电压超出此范围时,BIAS 可以使用 >2.9V 至 >4.5V 的外部电源供电。
(三)启用控制 (EN)
MPQ2420A 具有专用的使能控制 (EN)。 当 VIN 变高时,EN 启用和禁用芯片(高逻辑)。 其下降阈值一致为1.2V,上升阈值高出约350mV。 悬空时,EN 被内部 0.8mμA 电流源上拉至 4.0V 左右,使能。 要将其下拉,需要 0.8mμA 的电流能力。 当 EN = 0V 时,芯片进入最低关断电流模式。 当EN高于零但低于其上升阈值时,芯片保持关断模式,关断电流稍大。
(四)软启动 (SS)
MPQ2420A 采用软启动 (SS) 机制来防止转换器输出电压在启动期间出现过冲。 当芯片启动时,内部电路会产生一个恒定电流来为外部软启动电容充电。 SS 电压以 SS 时间设定的慢速从 0V 缓慢上升。 当 VSS 小于 VREF 时,VSS 会覆盖 VREF,并且 FB 比较器使用 VSS 而不是 VREF 作为参考。 当 VSS 高于 VREF 时,VREF 恢复控制。
(五)热关断
热关断可防止芯片在极高温度下运行。 当硅芯片达到超过其上限阈值的温度时,整个芯片将关闭。 当温度低于其下限阈值时,芯片再次启用。
(六)启动和关闭
如果 VIN 和 VEN 都高于相应的阈值,则芯片启动。 参考模块首先启动,产生稳定的参考电压和电流,然后启用内部稳压器。 稳压器为其余电路提供稳定的电源。
如果内部电源轨为高电平,则内部定时器会使功率 MOSFET 保持关闭约 50µs,以清除任何启动毛刺。 当软启动模块启用时,SS 输出保持低电平并缓慢上升。
三个事件可以关闭芯片:VEN 低电平、VIN 低电平和热关断。 在关闭过程中,首先阻塞信令路径以避免任何故障触发。 然后内部电源轨被拉低。 浮动驱动器不受此关闭命令的影响,但其充电路径被禁用。
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