全球首款首款HKMG DDR5内存:三星将在不久后开始量产768GB
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三星电子昨天公布了其2021年第二季度的收益。该公司整体表现良好,其内存业务也不例外。该公司预计该部门将持续增长,尤其是针对高端服务器和高性能计算(HPC)市场的DRAM产品。这就是为什么三星一直在推动其用于此类用途的高密度内存模块,该公司最近发布了业界首个512GB DDR5 DRAM模块,从任何角度看都是一个真正的高容量解决方案。
但事实证明,这家韩国巨头可能还不满足,因为它计划在不久的将来的某个时候更进一步,生产768GB DDR5模块,也就是使用24Gb DRAM芯片。这可以从该公司的财报电话记录中推断出来,其中一位三星代表提到,该公司正在 "开发一个最大的24Gb DDR5产品"。他还补充说,这家科技巨头正在为即将推出的英特尔Alder Lake处理器提供14纳米DDR5产品的样品,这些处理器预计将在今年晚些时候推出,可能是在10月27-28日的英特尔创新活动上。
三星电子近日宣布,正在研发单颗 24GB 的 DDR5 内存颗粒,用于满足企业用户的需求,尤其是云数据中心等客户。使用 32 颗这种颗粒制造的内存条,可以实现单条 768GB 的容量,能够为服务器大幅提高内存容量。
三星此前展示过单条 512GB 的 RDIMM 服务器内存条原型,其使用 32 片 16GB 颗粒。
外媒表示,三星的 24GB DDR5 内存颗粒可能使用 8-Hi 叠层工艺制造。目前最新的的服务器 CPU、工作站 CPU 大都具备 8 条内存通道,如果单条 768GB DDR5 内存得以应用,每通道使用两条,共计 16 条内存可以实现单 CPU 高达 12TB 的内存容量。
了解到,目前三星的 16GB 内存颗粒可以实现量产,但是 24GB 内存颗粒还需要一段时间才能研发成功。除此之外,三星还公布了 EUV 工艺的最新进展,并表示自家最新的 14nm 制程是同级别的最先进的工艺,预计将会于下半年使用 EUV 工艺,制造 5 层层叠式 16GB DDR5 DRAM 内存芯片。
三星表示,该内存是业界首个基于High-K Metal Gate(HKMG)工艺技术的512GB内存,容量、性能、功耗均有较大幅度提升,可以满足超级计算机、机器学习、人工智能等方面需求,而且低功耗的特性更符合对于能源效率要求较高的数据中心。遗憾的是,三星这款DDR5产品目前仅面向服务器领域,消费级市场还要再等一等。
2020年7月,JEDEC正式公布了DDR5标准,起步频率4800MHz。上一代DDR4内存,巅峰频率也只有4266MHz。再加上实际带宽可提高87%,电压降低至1.1V,更改时序和超频更简单,DDR5的性能全方位领先DDR4。
三星开发出了全球首款基于HKMG技术的DDR5内存,单条容量最高可达512GB,功耗降低13%,频率可达7200MHz,是普通DDR4的两倍。
三星利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠,以确保低功耗和高质量的信号传输,单颗DRAM芯片容量为16Gb, 512GB的DDR5内存模组总共需要32颗。新的DDR5内存的性能比DDR4内存提高了一倍,最高可达7200Mbps的传输速率,也就是7200MHz频率,可以满足超算、AI和机器学习等领域的计算要求。
事实上,这不是三星第一次使用HKMG工艺,早在2018年就该工艺开始应用在GDDR6显存上。三星表示,通过扩大HKMG工艺的应用,三星进一步巩固了其在下一代DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)技术中的领导地位。
三星电子DRAM部门副总裁Young-Soo Sohn表示:“三星是目前唯一一家能够使用HKMG制造内存芯片的半导体厂商。通过将这种创新工艺引入到DRAM制造,我们可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案,为医学研究、金融市场、自动驾驶、智慧城市以及其他领域所需的应用提供动力。”
7月29日消息,全球第二大独立内存模组制造商美国世迈科技近日发布了全新的工业级DDR5内存条,这是目前首批针对工业环境设计的DDR5内存,相比民用产品拥有更高的可靠性,能够在多种恶劣条件下稳定运行。
该产品能够在宽温环境下运行,范围达 -40°C~+85°C。每款产品经过专门的测试流程,使用定制的老化设备进行测试。具体来看,测试时从 -40°C 开始,缓缓升温至 85°C,这期间软件一直给内存条提供高压读写测试。
世迈公司产品营销总监表示,这款工业级 DDR5 内存条拥有保护涂层、抗硫工艺等特性,确保产品在最恶劣的环境下都能可靠运行。
了解到,世迈此款 DDR5 内存条提供 16GB、32GB、64GB 的普通版本,以及 8GB、16GB、32GB 容量的 ECC 版本。为了保证接触稳定性,官方还提供了内存固定夹,可以牢牢将内存与接口锁定,适用于特殊的剧烈振动场景。