东芝的碳化硅功率模块新技术提高了可靠性的同时减小了尺寸
时间：2021-08-19 16:12:21
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[导读]点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，开发了用于碳化硅（SiC）功率模块的封装技术，能够使产品的可靠性提升一倍[1]，同时减少20%的封装尺寸[2]。与硅相比，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，且被广泛视为功率器件的新一代材料...
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，开发了用于碳化硅（SiC）功率模块的封装技术，能够使产品的可靠性提升一倍[1]，同时减少20%的封装尺寸[2]。
与硅相比，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，且被广泛视为功率器件的新一代材料。虽然目前主要应用于火车的逆变器上，但是很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。
可靠性是碳化硅器件使用受限的主要问题。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，封装本身也必须具备高度的可靠性。东芝通过一种全新的银（Ag）烧结技术进行芯片焊接，来实现有效提高封装可靠性的目标。
在当前的碳化硅封装中，功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，很难抑制芯片中随着时间的推移而增加的导通电阻。银烧结技术可以显著降低这种退化。而银烧结层的热电阻仅为焊接层的一半，从而使模块中的芯片可以更加紧密地靠近，缩小了尺寸。
东芝将此新技术命名为iXPLV，并从本月底起其将应用于3.3kV级碳化硅功率模块的批量生产。该技术的详细信息已于5月5日在线上召开的国际功率半导体会议——PCIM Europe上进行了展示
碳化硅功率模块的新封装（iXPLV）
通过银烧结技术改善提高可靠性[3]注：[1] 东芝将可靠性定义为在功率循环测试（一种公认的半导体可靠性测试）中发生5%电压变化之前的时间长度。对于银烧结的模块，此时间大约是东芝焊接模块的两倍。[2] 新封装的尺寸为140mm×100mm，比东芝当前140mm×130mm封装的尺寸小23%。[3] 图片中的X轴是设置在开或者关之间的循环测试的相对次数。功率循环测试将评估半导体在多次循环测试之后的劣化情况。东芝将导致焊接模块发生5% 电压变化的周期数定义为“1”。
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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公司24,000名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化。东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，实现了超过7500亿日元（68亿美元）的年销售额。公司期望为世界各地的人们建设更加美好的未来。
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