超结型MOSFET前来助阵，TOLL封装为大功率产品锦上添花

点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！

根据数据统计显示，功率MOSFET约占据全球功率器件市场规模的22%。功率MOSFET在近几年间需求的快速增长，源于其独特的产品优势：

第一，功率MOSFET驱动电路较为简单，通常可以由TTL驱动电路或者CMOS直接驱动；

第二，功率MOSFET的开关速度较快，能够以较高的速度工作；

第三，功率MOSFET没有二次击穿失效的机理，它在温度越高时往往耐力越强，发生热击穿的可能性越低。

此外，因其可以在较宽的温度范围内提供较好的性能，所以被广泛的应用在大功率电源方面。

以往应用在大功率电源上的MOSFET体积都比较大，导致电源都比较厚重，不但增加了材料成本，还对安装施工造成了不小的困扰。因此，东芝就以上问题推出了一款采用TOLL小封装的MOSFET产品——TK065U65Z，为大功率的电子产品提供体积与成本上的解决方案。

一. 电气特性分析

TK065U65Z是东芝推出的DTMOS第VI代，N沟道功率MOSFET系列产品，采用TOLL封装，宽、长、高分别为9.9mm×11.68mm×2.3mm。

TK065U65Z的漏源电压（VDSS）高达650V，漏源电流（ID）最高可达到38A，漏源导通电阻最大值为0.065Ω。

具体参数如下：

二. 功能特性分析

TOLL封装“神助攻”：

TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，进而发挥MOSFET高速开关性能，抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断开关损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新DTMOS第VI代工艺技术相结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻。

采用先进的DTMOS VI结构：

TK065U65Z具有超结的结构，即使漂移层具有高耐受电压，也能够降低其电阻。同时该产品采用单层外延工艺，实现了低导通电阻与高速开关。最新一代DTMOS的第Ⅵ代系列与传统的DTMOSⅣ-H系列相比，通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）的乘积（品质因数），能够提高开关电源的效率。

三. 应用场景分析

TK065U65Z凭借其优异的性能与先进的封装技术，被广泛应用于开关电源、数据中心（服务器电源等）、充电桩、光伏发电机的功率调节器和不间断电源系统（UPS）等领域。

作为一家在功率MOSFET深耕多年的科技型企业，东芝半导体通过对市场敏锐的洞察能力和不断地产品迭代创新的科技力量，相信能够为未来您在MOSFET的产品选型上提供更多参考价值。

东芝微站
集“看、购、玩”于一体的移动线上平台
已全新上线

*更多信息详见《告别网页搜索，你的移动掌中宝“东芝微站”上线啦》

点击“阅读原文”，了解更多产品信息。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

公司22,000名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,100亿日元（65亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请复制以下链接进行访问：https://toshiba-semicon-storage.com

“赞”和“在看”点这里