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[导读]摘要:简单介绍了带隙基准源的基本原理,给出了一款基于Widlar结构的带曲率补偿的带隙基准电压电流源的设计方法,通过采用TSMC_0.5fzm工艺库对电路进行仿真,在一40—150°C的温度范围内,其带隙基准的输出具有12ppm/°C的温度系数,电流基准的输出具有42ppm/°Co此外,文中还对曲率补偿电路的工作原理进行了分析,并且通过仿真波形对曲率补偿的工作机制进行了讨论。

引言

当今被普遍采用的数模混合电路芯片中,偏置电路起到了非常重要的作用。随着芯片的工作,功耗产生的热量所导致芯片温度的变化是难以避免的工。所以,为芯片提供偏置的基准电路应具有良好的输出电压电流精度和稳定的温度特性。而在芯片的内部模块比如振荡器、延迟产生电路、运算放大器等电路中,往往需要一个几乎与温度无关的电流源来进行偏置,随之便产生了利用带隙基准电压来产生零温电流的电路结构。本文提出了一种利用带隙基准电压产生的与温度无关的基准电流源电路,带隙基准电压产生电路没有运算放大器,结构简单,且能对基准电流实现曲率补偿,使基准电流具有低的温度系数。

1  带隙基准电压源的原理

一个与温度无关的基准电压信号往往可以由一个具有负温度系数的电压信号和一个具有正温度系数的电压信号以适当的权重相加得到。对于温度系数相反的两个电压V1和V2,有:

Vref1V1+a2V2                                                                   (1)

将式(1)对温度T求导并选取合适的α1和α2,可得到:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

那么就可以得到一个具有零温度系数的电压基准VREF我们知道,一个二极管连接的双极晶体管的基极-发射极电压Vbe具有负的温度系数。对于一个双极器件,将VBE对T求导得:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

而两个工作在不同电流密度下的双极晶体管的基极-发射极电压之差具有正的温度系数。将它们的

基极-发射极电压相减可得:

△Vbe=Vbe1—Vbe2=VTlnn                                    (4)

将式(4)对温度T求导:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

通过上面的讨论,我们得到了两个温度系数相反的电压Vbe和△Vbe,将其代入式(2)并对T求导可以得到:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计 

通过设置系数α1和α2,即可得到一个零温度系数的电压Vref

2  带隙基准电压电流源电路的设计与实现

图1所示为本文提出的基于widlar结构的带隙基准电压电流源的电路图。左边部分为启动电路,中间为带隙基准电压产生电路,右边为曲率补偿和电流基准产生电路。 

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

启动电路的作用在于使带隙基准电路脱离简并点,让基准电路正常上电工作。如图1所示,M】、M,为二极管连接,随着V«:的逐渐上升,由于R的存在,M?的逐渐变负,使得逐渐开启,R上的电流逐渐增大,此时,M,开启,有电流流过对G充电,为Q,的基极提供一个大于2倍Vm的电压。随着Voc的进一步升高,被关断,之后启动电路将不会影响基准电路,完成启动过程。

图1中间部分为带隙基准电压产生电路,R=R,且Q并联N个。Q,与Q12组成电流镜结构,且它们的发射极面积相等,即Isl=Ism,因此有la=1皿。又Q并联两个,即IS2=2Iai,所以我们可以得到【C2=2la,1(3=leto

Q.的作用在于为带隙基准产生电路提供负反馈稳定回路贰。如图所示,Qi将Q的集电极电压箝位至一个Vbe电压,负反馈回路使Q3的集电极电流与Q4的集电极电流相等山。

我们知道,BJT的V既为:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

已知lc3=lc4,即R与Rt上面的压降相等,本设计中Q3并联了8个,即IS]=8细,所以可以得到R上的电流为:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

前面已经提到,Vbe为一个负温度系数的电压,Vt为一个正温度系数的电压,所以,通过设置R5与R的比例就可以得到一个零温度系数的带隙基准电压Vref。本设计取R=R=11R-,得到的基准电压为1.25V。

3  带曲率补偿的电流源的原理与分析

图1的右半部分所示为曲率补偿电路及电流基准电路,R为一正温系数的P注入电阻,R为一负温度系数很大的高阻多晶电阻。Q,的发射极电压近似与Vkef相等,为一零温电压。因R的温度系数为正,故M?与M,支路上的电流都为负温度系数。Ms与Mm镜像M6支路的PTAT电流,表示为Iptats^IpTAT12。BIAS为输出的零温电流,Velas为零温电流的偏置电压。假设Ms与和M6的宽长比的比值分别为m与n,那么IP-1AT8与IpTAT12分别可以表示为:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计


忽略流过Q的电流辰,可以得到

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计


由于R5为正温度系数的p注入电阻,r为负温

度系数很大的高阻多晶电阻,讐呈现正温度系数。所以通过设置R与R的比例,就可以得到一个零温度系数的电流IbiasO

但是由于BJT的Vbe的温度特性是非线性的,并不能通过式(15)对完全线性的Iptatp进行补偿。这就使得我们必须加入一个曲率补偿电路来对扇恣进行曲率补偿。图1所示的曲率补偿电路属于非线性补偿方法。在温度较低时,会打开,为Qo注入一股负温度系数的电流来补偿V™,的低温特性。

假设M,饱和时流过的电流为R电流的M,饱和时流过的电流为Mt电流的M,倍,那么Qs的电流las可以表木为Ids与Idu的差值。如果M9的饱和电流大于Mu的饱和电流,Ms与均饱和,并且它们的电流差值会通过Q6流入Q支路,这个差值被用来进行曲率补偿匸。如果Mn的饱和电流大于M9的饱和电流,则Mu将被驱使进入线性区,Q。则没有电流通过。庆可以表示为:

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

4  电路仿真结果与分析

现采用0.5Mm的TSMC模型,电源电压为6V,对电路进行温度特性仿真,仿真温度范围为一40〜150°C,仿真工艺角为TT、FF、SS。仿真波形图如图2所示。 

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

由仿真结果可知,本文所设计的带隙基准源在—40〜150°。的温度系数仅为12ppm/°Co图3所示为电源电压为6V,仿真温度范围为一40〜150°C,仿真工艺角TT、FF、SS时的基准电流源的输出波形。

由仿真结果可计算得到,基准电流源在一40〜150°C的温度范围内的温度系数为42ppm/笆。从图3中可以看出,在一40〜15笆区间,曲线有一个上翘的波形,这是因为在这个温度范围内,Q。开始有电流流过,这股电流会对扇as进行温度补偿,达到了曲率补偿的目的,有效降低了扇恣的温度系数。

图4所示为带隙基准电路的电源抑制比仿真波形图,从图4中可以看出,带隙基准源的电源抑制比最大可以达到62dB为。图5所示为基准电压随着电源电压Vs变化时的波形图。

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

从图5中可以看出,刚开始时,基准电压随着Vcc的上升而上升,当Vcc大于2.8V时,基准电压Vref稳定为1.25V不变。从以上各项仿真可以看出,基准电路的输出对电源电压和温度都不敏感。

5  结论

本文所提出的带曲率补偿的带隙基准电压电流源具有结构新颖、输出稳定等特点。产生带隙基准电压的主电路采用了widlar结构,与通常所采用的运算放大器结构有所不同,电路得到了很大的简化。由于负反馈环路的存在,使得基准的输出非常稳定。通过仿真结果可以看出,后级所采用的曲率补偿电路,让Vbe对PTAT电流的补偿效果更好,能有效降低带隙基准电路的零温电流的温度系数。

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