硬件设计之一——电源设计01:电源防护
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二级管型防反接保护电路1、通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示:这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要达到:Pd=2A×0.7V=1.4W,这样效率低,发热量大,要加散热器。2、另外还可以用二极管桥对输入做整流,这样电路就永远有正确的极性(图2)。这些方案的缺点是,二极管上的压降会消耗能量。输入电流为2A时,图1中的电路功耗为1.4W,图2中电路的功耗为2.8W。 图一图1中,一只串联二极管保护系统不受反向极性影响,二极管有0.7V的压降,图二 桥式整流器图2 是一个桥式整流器,不论什么极性都可以正常工作,但是有两个二极管导通,功耗是图1的两倍。MOS管型防反接保护电路N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于GND通路上,电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候,R2提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小,2A的电流,功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题P沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候,R1提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小,2A的电流,功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小,最好选NMOS。NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。PMOS管接在电源的正极,栅极低电平导通。R1和R2构成一个分压电路,给MOS管的栅极提供一个合适的电压让它可以导通,而VZ1则是保护MOS管的栅极不要超过它的门槛电压。而C1和R3可以理解为对电路的保护作用吧,电路未工作时,此刻可以通过C1和R3这两个器件构成电路中的交流信号滤除作用,也可以释放后面容性负载或者感性负载的能量释放。
多电流保护电路有很多种,最长使用的是保险丝。保险丝限流保护保险丝限流保护广泛应用于开关电源等电路当中,保险丝有自恢复和不可恢复的,PTC就属于可恢复的一种,保险丝的工作原理是电流发生异常时候,当功率升高到一定的强度时候,电流导致温度过热保险丝熔断,输入电路断开。其他还有多种方法,感兴趣的话可以自行搜索。 采用共模电感滤波通常针对存在共模干扰的车载电路等环境,简单进行如下介绍。 实际上,在电源中差模干扰和共模干扰往往同时存在,因此,电源滤波电路一般指将共如上图所示。模和差模滤波结合起来, Le为共模扼流圈,由于LC的两个线圈绕向一致,当电源输人电流流过LC时,所产生的磁场可以互相抵消,不会引起磁芯的饱和,因此,它使用导磁率高的磁芯。Le对共模噪声来说,相当于一个很大电感量的电感,故它能有效地抑制共模传导噪声。负载输入端分别对地并接的电容Cy对共模噪声起旁路作用。共模扼流圈两端并联的电容CX对差模噪声起抑制作用。R为CX的放电电阻,它是VDE-0806和IEC-380安全技术条件标准所推荐的。图中各元件的参数范围:Cx=0.1~2pF;Cy=22~33nF;Le=几~几十mH,随工作电流不同而取不同的参数值。如电流为25A时,Le=1,8mH;电流为0.3A;Le=47mH。扼流圈一般用高磁导率棒状磁芯材料,对于消除高频干扰效果很好,但对于大工作电流之情况,扼流圈的体积比较庞大,用以避免磁饱和。 π型滤波器包括两个电容器和一个电感器,它的输入和输出都呈低阻抗。π型滤波有RC和LC两种, 在输出电流不大的情况下用RC,R的取值不能太大,一般几个至几十欧姆,其优点是成本低。其缺点是电阻要消耗一些能量,效果不如LC电路。滤波电容取大一点效果也不错。 LC电路里有一个电感,根据输出电流大小和频率高低选择电感量的大小。其缺点是电感体积大,笨重,价格高。现在一般的电子线路的电源都是RC滤波。很少用LC滤波电路.在SoC的电源输入端,常常采用磁珠 电容的pi型滤波电路(如下图),滤除电源上的高频噪声。在模拟器件的电源输出端,常常采用RC的pi型滤波电路,滤除电源上的低频噪声。