明月未出群山高,瑞光千丈生白毫一杯未尽银阙涌,乱云脱坏如崩涛中秋节还被称为“端正月”。关于“团圆节”的记载最早见于明代文学作品。《西湖游览志余》中说:“八月十五谓中秋,民间以月饼相送,取团圆之意。”
一个人的工作能力是指他承担某项工作、执行某项业务、任务的能力。具体表现有两方面,一是他的专业知识水平,二是他解决、处理实际工作的能力。在实践中二者常常是揉合在一起,相得益彰。运用所学知识处理实际工作的能力主要通过实践培养起来的。
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随着全球新能源汽车的蓬勃发展,越来越多的家庭在购车时选择电动汽车作为家用车,而在选购时,通常将汽车的续航作为一个重要参考指标。如何提高电动汽车的续航呢?一方面可以通过增加电池的总容量,另一方面,通过降低车载设备的功耗。为此,东芝推出了有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V N沟道功率MOSFET:XPN7R104NC,让我们一起来看看它到底是一颗怎样的器件呢?
01观其表:器件特性
XPN7R104NC是东芝为减小车载设备功耗而推出的一款小型贴片封装的全新N沟道功率MOSFET,其采用带有可焊锡侧翼引脚结构的TSON Advance(WF)封装技术,便于对电路板安装条件进行自动目视检查。此外,采用“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻设计有助于设备降低设备功耗,达到节能的效果。同时他能够代替具有相同封装尺寸的传统东芝产品,在性能改进的基础上,还有利于通过更换类似的5mm×6mm尺寸产品,以促进ECU的小型化。
XPN7R104NC的特性如下:
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低漏极-源极导通电阻:栅极-源极电压VGS=10V时,RDS(ON)=7.1mΩ(最大值);
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低漏电流:漏极-源极电压VDS=40V时,IDSS=10µA(最大值);
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增强型MOS:栅极阈值电压Vth=1.5V至2.5V(VDS=0V,ID=0.2mA);
02知其理:应用电路
XPN7R104NC是东芝XRN系列小型表面贴装N沟道功率MOSFET的一员,其内部结构原理如下图所示:
从器件内部结构图可以看出,单片XPN7R104NC芯片中,仅有一个N-MOS结构,其1/2/3pin为源极(Source),4pin为栅极(Gate),5/6/7/8pin均为漏极(Drain),在使用时需要特别注意。同时东芝官方给出了应用电路示例,方便工程师在设计电路时进行参考。
03明其用:应用场景
XPN7R104NC作为东芝新推出的MOSFET器件,其拥有多项新特性,如新型的TSON Advance(WF)封装,新型的“U-MOSVIII-H”工艺,这些都为XPN7R104NC带来更加优异的性能表现,使得这款功率MOSFET能够在车载设备、开关稳压器、DC-DC转换器以及电机驱动电路中发挥其应用价值。
东芝作为世界级的半导体设计公司,凭借其丰富的产品设计经验及技术创新能力,不仅使设计的功率驱动器件满足性能需求,同时也能兼顾环保及降低设备功耗,而这也契合未来电子产品及工业设备设计的需要,相信这些特点能够让东芝的器件大放异彩。
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,公司累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,000名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化,东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,公司现已拥有超过7,100亿日元(65亿美元)的年销售额,期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。