Intel预计2024年首发20A埃米工艺：还有2大黑科技--R ibbonFET及PowerVia

今年3月份，Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略，其中主要内容就是投资200亿美元在美国建设2座新的晶圆厂。9月24日，基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基，2024年这些工厂要首发量产20A埃米工艺。

除此之外，Intel还公布了这里两座晶圆厂的细节，分别会命名为Fab 52、Fab 62，并透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺。

Intel 20A工艺是今年7月份才公布的，是Intel 10/7/4/3工艺之后的升级版，而且首次进入后纳米时代，直接用了埃米(A代表的是Ångstrom，1纳米等于10埃米)，技术细节没有公布，但字面意义上看20A差不多就是2nm工艺的级别，符合3nm之后的摩尔定律升级规则。

20A工艺除了EUV光刻工艺之外，还会有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

按照规划，20A工艺预计会在2024年量产，届时台积电的2nm工艺应该也会问世，Intel的工艺再次回到最先进水平。

这五年，英特尔的增长不如人意，出现生产失误，而规模较小的竞争对手却大举进攻，抢走英特尔因无法交付而失去的客户，从而扩大了市场份额。

英特尔向全球的计算机和数据中心提供复杂的处理器，凭借这一业务其年产值超过4000亿美元，步入芯片制造行业的顶级行列。而且，所有的芯片都由自家工厂制造。

但是规模小得多的AMD开始把芯片制造外包给亚洲的芯片制造商，英特尔的战略瓦解了。过去多年，英特尔的工艺迭代速度都没再超过竞争对手。

为了解决这场危机，英特尔新任首席执行官Pat Gelsinger制定了一份雄心勃勃的计划，他的策略是结合内部制造与外包制造。

Pat Gelsinger在今年3月份向分析师阐述了这个计划。从2023年开始，英特尔将更多地利用外部制造商生产一些最尖端的芯片。他还宣布投资200亿美元，在亚利桑那州建造两座新的芯片制造厂，名为英特尔铸造服务(Intel Foundry Services)，将制造其他公司设计的芯片。

藉此，英特尔将成为亚马逊(NASDAQ：AMZN)和微软(NASDAQ：MSFT)等全球最大云计算客户的服务提供商。亚马逊和微软正在设计自家芯片，并需要芯片制造服务。Pat Gelsinge表示，这种混合模式是一种成功的组合。

他在最近的一次演讲中向分析师表示，“英特尔回来了。旧的英特尔就是新的英特尔。”

今年3月份，刚刚上任CEO没多久的基辛格宣布了Intel IDM 2.0战略，其中一项内容就是斥资200亿美元在美国建设两座新的晶圆厂，位于美国亚利桑那州钱德勒的Ocotillo园区，这里现在就是Intel乃至美国最重要的芯片生产基地。

现在Intel官方宣布，9月24日，Intel CEO基辛格以及政府高官、社区领导人一起举行奠基仪式，庆祝亚利桑那州史上最大的一笔投资开工，这个200亿美元的芯片项目也会加强美国半导体的领导地位。

3月23日，基辛格公布了Intel的IDM 2.0战略，带来了多个重大决策，包括投资200亿美元在美国美国亚利桑那州新建两座晶圆厂、成为全球代工产能的主要提供商、重拾Intel信息技术峰会(IDF)并升级为Intel创新(Intel Innovation)峰会。

建设中的两座晶圆厂，一个是为未来的先进工艺产能做准备，一个是为晶圆代工服务的，该投资计划预计将创造3,000多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及3,000多个建筑就业岗位和大约15,000个当地长期工作岗位。