导体有哪些

先纠正一下，半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、碳化硅、氮化镓等，一般说半导体都是说半导体材料，三极管、二极管是半导体器件。

不管哪个，种类都挺多的，抽常见的说一下。

半导体材料，最基本的有三种类型：本征半导体、P型半导体、N型半导体。

本征半导体：材料完全纯净，不含杂质，晶格完整，因为内部的共价键被本征激发(部分价带中的电子越过禁带进入空带，形成能在外部电场下自由移动的电子和空穴)而导电。想要理解半导体的导电特性就必须要有这么一个电子-空穴对的概念，简单来讲，电子导电就是自由电子(带负电)的移动，空穴导电就是共价键中的电子移动到附近的空穴中，表现为空穴(带正电)在移动。

N型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的磷等五价元素的杂质(施主杂质)，由于原子最外层电子数比硅等材料要多，在形成共价键之后还会多余出一个电子，这个电子的激发能量远比价态的电子要低，所以N型半导体材料导电以自由电子为主(还是存在少量空穴)，这个过程中材料仍为电中性。

图1 N型半导体材料导电过程示意图(来自百度)

P型半导体：向本征半导体中掺杂一定量的硼等三价元素的杂质(受主杂质)，由于原子最外层电子数比硅等材料要少，在形成共价键之后还会多余出一个空穴，这个空穴的能级接近价带中的电子能级，价带中的电子很容易受激发迁移到这里，所以N型半导体材料导电以空穴载流子为主(还是存在少量电子)，这个过程中材料仍为电中性。

图2 P型半导体材料导电过程示意图(来自百度)

讲完半导体材料再来讲一下半导体器件中最基本的结构——PN结。

顾名思义，PN结就是将一块P型半导体材料和一块N型半导体材料组合在一起(换句话说把一块本征半导体材料的两个部分分别进行P型、N型的掺杂)。

N型区电子多(即多子)空穴少(即少子)，P型区空穴多(即多子)电子少(即少子)。

在不同半导体材料的接触面上，由于多子浓度不同产生扩散运动，P型材料中的空穴和N型材料中的电子会形成电子-空穴对(电中性)，P型材料因失去空穴(接受电子)而带上负电，N型材料因失去电子而带上正电，这样子在半导体内部会形成一个空间电荷区。

空间电荷区的电场方向与多子的扩散运动方向相反，抑制多子的扩散，同时这个电场将使N型区的少子空穴向P型区漂移，使P型区的少数载流子电子向N型区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。

从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。

最后扩散与漂移达到动态平衡，形成了一个离子薄层，即PN结。

图3 PN结导电原理示意图

PN结就是二极管的基础。

显然，当P区加正电压，N区加负电压时，漂移运动被抑制，扩散运动增强，此时载流子主要为多子，导电性能强，器件导通;当P区加负电压，N区加正电压时，扩散运动被抑制，漂移运动增强，此时载流子主要为少子，导电性能弱强，器件关断，仅有极小的反向导通电流。

简单讲完了半导体器件基础，再来讲常见的半导体器件类型。

主要有：

1.晶闸管及其派生器件(逆阻型晶闸管SCR、逆导型晶闸管RCT、光控晶闸管LCT、双向晶闸管TRIAC)

2.双极结型体管BJT(Bipolar Junction Transistor)

3.J型场效应管JFET(Junction gate Field Effect Transistor)

4.金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)

5.V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )

6 绝缘门极双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

7.门极可关断晶闸管GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)

8.MOS控制晶闸管MCT(MOS-Controlled Thyristor)

9.集成门极换流晶闸管IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor)

因为太多，所以直接上结论，有疑问自己直接百度吧。

根据开关器件开通、关断可控性的不同，开关器件可以分为三类：

1.不可控器件：仅二极管是不可控开关器件。

2.半控器件：仅SCR属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦导通后， 仍会继续处于通态。

3.全控型器件： BJT、 GTO、 MOSFET、 IGBT是全控型器件，即通过门极(或基极或栅极)驱动信号既能控制其开通又能控制其关断。

根据开通和关断所需门极(栅极)驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类：

(1)SCR、 BJT和GTO为电流驱动控制型器件;

(2)MOSFET、 IGBT均为电压驱动控制型器件。

BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后， BJT关断。为加速其关断，要提供负的脉冲电流。

MOSFET和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续电压使其关断并保持为可靠的断态。

电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件，驱动电路也比较简单可靠。