存储芯片行业展开新一轮技术升级竞争

技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要集中在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。

根据集邦咨询发布数据，第三季度DRAM市场价格已经扭转原先的跌势，转为持平，其中8月DRAM合约价与前月持平，DDR4 8GB均价来到25.5美元。至于NAND闪存市场，上季度便已扭转了下滑的态势。在智能手机、笔记本电脑以及服务器等需求面皆有所复苏的情况下，NAND闪存市场已经摆脱此前一直出现的跌跌不休态势，出现转机。

目前多数存储厂商均已开始看好明年市场的复苏前景。在此情况下，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，以图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。

1z nm工艺

DRAM具有高密度、架构简单、低延迟和高性能的特性，兼具耐用和低功耗的特性。尽管不断有新型存储技术开发，但目前为止，在片外系统当中DRAM仍然牢牢占据市场主流地位。与NAND闪存不同的是，DRAM需要制作电容器，比较难堆叠芯片层数，因此制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能、效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量，这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。因此，在新一轮竞争当中，厂商间不断通过工艺微缩，强化竞争优势。