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[导读]近日,在中国集成电路设计业2019年会(ICCAD 2019)上,华虹半导体(无锡)*研发总监陈华伦代表华虹宏力受邀演讲,在《持续创新,助力智能时代》的报告中阐述了华虹宏力立足8英寸产线、并将优势扩展至12英寸的“8+12”战略布局,以及通过持续创新助力智能时代高速增长的“芯”愿景。

2019年1-10月中国5G手机出货量328.1万部,发展速度远超业界预期。5G商用的加速推进,让更广泛的智能时代提前到来,随之而来的是海量的芯片需求。然而,先进芯片制造工艺虽有巨资投入,却仅能满足CPU、DRAM等一部分芯片市场应用需求;像嵌入式闪存、电源、功率芯片等广泛存在的需求,则主要由华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)为首的特色工艺芯片制造企业,基于成熟工艺设备不断创新以提升芯片性能和成本优势来满足。

近日,在中国集成电路设计业2019年会(ICCAD 2019)上,华虹半导体(无锡)*研发总监陈华伦代表华虹宏力受邀演讲,在《持续创新,助力智能时代》的报告中阐述了华虹宏力立足8英寸产线、并将优势扩展至12英寸的“8+12”战略布局,以及通过持续创新助力智能时代高速增长的“芯”愿景。

图:华虹半导体(无锡)研发总监陈华伦在ICCAD 2019上分享对产业发展的洞察

嵌入式闪存:领跑者的三个支撑点

早在2000年初,华虹宏力已开始布局特色工艺,经过多年的研发创新和优势积累,现已形成多个具有领先优势的特色工艺技术平台,全球领先的嵌入式非易失性存储器(eNVM)就是其中之一。作为华虹宏力2018年第一大营收来源,eNVM平台主要包括智能卡芯片和MCU两大类应用。

据2018年年报透露,华虹宏力MCU业务涵盖了eFlash、OTP、MTP和EEPROM等主流技术,可实现高、中、低端MCU产品全覆盖。2018年,华虹宏力110纳米嵌入式闪存平台的MCU新品导入超过100个,是eNVM平台营收的主要增长点之一。同时,进一步完善的95纳米5V SG eNVM工艺通过优化存储单元结构、IP设计以及工艺简化,具有小面积,低功耗、高性价比等优势,广受客户青睐。陈华伦强调,该工艺平台兼备高可靠性和低功耗特点,同时具备光罩少等综合竞争优势。

华虹宏力eNVM技术平台包括SONOS、SuperFlash自对准和自主开发NORD FLASH等三大工艺平台,全面覆盖当前主流的180纳米到90纳米及以下技术节点,已被广泛用于SIM卡、银行卡和带金融支付功能的社保卡中。

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