英飞凌针对准谐振反激式拓扑推出700 V CoolMOSTM P7产品系列

 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势，开发出全新的700V CoolMOS P7产品系列。较之目前使用的超级结工艺，这些全新MOSFET实现了前所未有的性能改进。诸如智能手机和平板电脑充电器以及笔记本电脑适配器等软开关拓扑均能受益于此优势。此外，全新CoolMOS支持针对电视适配器、照明、音响和辅助电源的快速开关和高功率密度设计。此全新产品系列针对外形进行了改进，可支持纤巧型设计。

与竞争对手的产品相比，全新700 V CoolMOS P7可将开关损耗(EOSS)降低27%-50%。在反激式充电器应用中，该工艺可将效率提高3.9%。此外，器件温度可降低多达16 K。相比之前的650 V C6，全新工艺可将效率提高2.4%，并将器件温度降低12 K。

内置齐纳二极管确保ESD防护性能提高到HBM Class 2等级。客户则可受益于提高的组装成品率，而组装成品率的提高有助于降低与生产相关的故障，最终节省制造成本。此外，由于具有很低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*EOSS，700V CoolMOS TM P7具有低损耗特点。相比C6工艺以及某些竞争对手的器件而言，此全新产品系列的阻断电压提高了50 V。

700V CoolMOS TM P7在开发过程中一直秉持易用性设计理念，VGSth为3 V，波动范围仅为±0.5 V。这使得全新P7产品系列很容易被纳入设计之中，并能使用更低的栅源电压，从而使其更易于驱动，并降低空载损耗。特别是在价格敏感的细分市场，全新700V CoolMOS TM P7具有诱人的性价比，有助于客户获得更多的竞争优势。

供货情况

700V CoolMOS P7产品系列提供最常用的RDS(on)级别和封装组合，RDS(on)范围为360 -1400 mΩ，封装包括IPAK SL、DPAK和TO-220FP等。该超级结工艺RDS(on)级别将会得到进一步补充，并将会与英飞凌的全新封装结合在一起。