linxinchun：看了前4页

     我认真看了前4叶，其中IC921前面已做过一次非常透彻的解释，但我看后来IC921后来把自己也扯糊涂了，然后哪个谁用以偏盖全的二极管的电压分析方法，分析了一半，然后得出二极管的分析方法，简直可笑，然后他反复发表了多偏相同的缺一半脑筋的帖子，然后迷惑了一部分本来就有点糊涂的人，然后有性格的人找不到说理的就开始激动了，论坛也热闹了，其实我说过正确的物理过程可以用不同的角度去描述，但大家想不透的是他说的二极管特性也是三极管的一部份，真是有了三极管的放大倍数和BE的伏安特性及电阻和电压决定了电流的分配和VBE的电压（完全可以详细计算也可以用图（几何的方法来计算）（他就理解到BE的伏安特性），这是个主动的反馈过程，因为不管是温度的变化或湿度的变化，VBE的变化是不大的，就决定了IR也几乎不会变化，而这个电流会按照在某个状态下（受温度等影响）的放大倍数在左管的集电极和二个基极之间进行分配，分配原则就是飞船所列的式子了，由于二个管子的BE伏安特性相同，使得二个管子基极得到的电流也相同，再根据二个管子放大倍数相同就可以得到镜流源的概念了，这里有二个最基本的特征说左管是三极管，首先二个管子的基极电流是由左管工作在三极管的放大负反馈状态下得到的，第二个特征就是右管的发射极电流由右管的基极电流乘于放大倍数，而这个放大倍数要和前管想等，这是这个镜流源的基本特征。对于温度补偿什么的其实也已说清楚了，只要二个管子有相同的特征，首先由于左管工作在负反馈，IR电流基本不变，（可以简单地从VBE不会有太大变化分析，还不理解可以定性和定量地去思考，或用个个曲线模型去仿真）那么镜像的概念右管电流也就没多大的变化了。当然这里的分析中有个默认条件，放大倍数作够大，不然温度的变化也会带来误差。分析到以上内容真的是非常简单的思路，我看一眼这个电路就可以理解到比解释的深十倍（相同深度任何这类电路），我这样说绝不是为了炫耀自己什么聪明，只是想说明学习的一个方法要看到合理性，单独看左管我会看到一个二极管，而看到整个电路我只能看他是三极管不然看不到合理性，也就分析不出是个什么东东了，并且我看到了很多更深的东西包括他的条件，设计在什么状态，都是必然的不然就失去了这个电路的意义。

    对另外想到一点很多芯片内部的二极管本身都是用三极管来做的，这也可能是在一些资料里把这个三极管倒过来画成是二极管的原因，因为单独看他是个完完全全是个二极管，集成电路内部的二极管就是这么做出来的，从这个角度看，把他画成二极管的人可能真是水平欠缺点，还是这句话在这里不能看成二极管。

    最后再说点，我们在论坛上混，不外乎学到点什么或给别人做点什么而得到点认可，或说混个人气，其实大家都互相不认识，说错话也没关系，就是对了被大家表扬下也不会给你钱，错了被大家拍砖可以学到东西了所得的是你，而骂你的反而得不到什么，所以我还是觉得大家在心态上放松点，要有不被拍砖不进步的心态，所谓英雄所见略同，既然大家还在争论那么说明要么是自己的理解还不到位，要么至少解释水平还不够高，如二样多不认可，那也真可以退出这个话题，看看有什么其他可以学的或可以教的能不能找到孺子可教的家伙。在技术讨论上我也会说些难听的话，那是对事不对人，有对不住的地方先打个招呼了。 

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