突破芯片关键技术的带头人(图)

记者手上有一份一位美国公民来往我国的出入境证明细表。上面的内容显示，仅从2010年1月到今年2月，就先后5次入境，4次离境，而其中每次回美国的时间长则一个星期，短则只有3天，总计在中国工作的时间有280多天。

这份出入境证明明细表的主人，就是宁波比亚迪半导体有限公司聘请的海外工程师TAO HE（贺涛）。

虽然在宁波比亚迪公司工作的时间还不长，但贺涛对公司的贡献却不小：在他的主持下，公司在国内率先完成了IGBT芯片关键工艺的开发工作，自主研发的IGBT芯片在深圳比亚迪汽车有限公司顺利组装成IGBT模块，并成功开始电动汽车台架测试，这标志着比亚迪终于打破了IGBT芯片技术长期为国外垄断的坚冰，填补了国内电动汽车用功率器件领域的一项空白。

引进海外工程师的背景：借用“外脑”在核心技术上求突破

从2009年开始，顺应比亚迪集团垂直整合的发展思路，通过整合产业链、增强企业核心竞争力，实现电动汽车量产化、商业化的进程，宁波比亚迪承担了其中的重要步骤“关键零部件的自主开发制造”。公司将研发重点转向半导体功率器件，如绝缘栅双极晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）等，尤其是电动汽车用功率器件的自主研发制造。

以IGBT为例，目前，IGBT已经基本上取代了大功率晶体管，成为电力电子电路主要采用的功率器件，广泛应用在电力电子、工业控制、消费电子、网络通信、计算机、汽车电子等各个领域。而IGBT产品的研发和量产，目前国内尚处于起步阶段，有着巨大的发展潜力。因此，宁波比亚迪公司希望借助海外工程师突破发展瓶颈，加速企业成长。通过多方协调努力，2010年初，宁波比亚迪公司终于成功聘请到了美籍专家贺涛博士担任FRD和MOSFET项目总监。

这个“外脑”不简单：突破芯片技术瓶颈，增强核心竞争力

1968年4月出生的贺涛，1995年5月在美国德州大学达拉斯分校获得了硕士学位后，先后在诺基亚（美国）公司担任系统集成经理、项目研发经理、高级项目经理。

从去年1月开始担任宁波比亚迪公司项目总监后，贺涛凭借其在半导体器件领域扎实的专业背景，并结合其多年海外学习和工作积累的丰富经验，对产品研发、攻克技术难题方面提出了一系列创新思路，并在实际应用中产生了很好的效果，有效地提升了宁波比亚迪产品的技术水平和核心竞争力。